Toshiba Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes 8 789En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV 5 354En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 46 556En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS 369 132En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6
Toshiba Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications 4 490En existencias
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Varactor Diodes SMD/SMT SOD-923-2
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 282 583En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-563-6
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type 162 435En existencias
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SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 26 382En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A 89 001En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V 11 261En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A 56 524En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSON-8
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm 374En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V 590 951En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET 18 984En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SMW-3
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 131En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode 21 404En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SC-61
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR 901 551En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V) 4 913En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DFN8x8-5
Toshiba IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS 3 448En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 45 634En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS 25 255En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V 143 935En existencias
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Carrete: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT UF-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR 14 835En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DSOP-8
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 674 700En existencias
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Carrete: 3 000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 26 128En existencias
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Carrete: 2 000

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)