Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
DF2S20ASL,L3F
Toshiba
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Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
TPCA8120,L1Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
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757-TJ200F04M3L,LXHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
SSM6N15AFU,LF
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757-SSM6N15AFULF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
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MOSFETs
Si
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SOT-363-6
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
JDV2S41AFS,L3M
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Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
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Varactor Diodes
SMD/SMT
SOD-923-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
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757-SSM6L14FETE85LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
282 583 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
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757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
162 435 En existencias
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SOT-323-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
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757-TK160F10N1LLXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26 382 En existencias
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MOSFETs
Si
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TO-220SM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
TPH2R408QM,L1Q
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757-TPH2R408QM,L1Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
89 001 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
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TTA1943(Q)
Toshiba
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757-TTA1943Q
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
2-21F1A-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
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757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56 524 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSON-8
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
TW060N120C,S1F
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757-TW060N120CS1F
Toshiba
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
374 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
SSM6K341NU,LF
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757-SSM6K341NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
590 951 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
UDFN-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
TK160F10N1L,LQ
Toshiba
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757-TK160F10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
18 984 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SMW-3
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
TW045N120C,S1F
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Toshiba
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
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1 020
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
1SS306TE85LF
Toshiba
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Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
21 404 En existencias
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3 000
₡464
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SC-61
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
901 551 En existencias
1
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1 000
₡28,4
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₡12,2
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
TK31V60X,LQ
Toshiba
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4 913 En existencias
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757-TK31V60XLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
4 913 En existencias
1
₡3 787
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₡2 111
1 000
Ver
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1 000
₡1 914
2 500
₡1 728
5 000
Presupuesto
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
GT30N135SRA,S1E
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser
757-GT30N135SRAS1E
Toshiba
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS
3 448 En existencias
1
₡2 477
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30
₡1 485
100
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500
₡1 305
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
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45 634 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45 634 En existencias
1
₡771
10
₡490
100
₡324
500
₡253
2 000
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Ver
1 000
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4 000
₡183
10 000
₡182
24 000
₡179
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
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25 255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306P1L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
25 255 En existencias
1
₡1 589
10
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₡835
500
₡713
1 000
Ver
5 000
₡580
1 000
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2 500
₡626
5 000
₡580
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
SSM6L40TU,LF
Toshiba
1:
₡354
143 935 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L40TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
143 935 En existencias
1
₡354
10
₡218
100
₡139
500
₡105
3 000
₡65
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1 000
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6 000
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9 000
₡58
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UF-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1:
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14 835 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPW1500CNHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
14 835 En existencias
1
₡1 943
10
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500
₡760
1 000
Ver
5 000
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1 000
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5 000
₡615
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Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DSOP-8
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
₡81,2
674 700 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
674 700 En existencias
1
₡81,2
10
₡56,3
100
₡42,3
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₡31,3
3 000
₡13,9
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Ver
1 000
₡27,3
6 000
₡13,3
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₡12,2
24 000
₡11,6
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SOT-323-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
₡1 560
26 128 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
26 128 En existencias
1
₡1 560
10
₡1 009
100
₡696
500
₡559
1 000
Ver
2 000
₡462
1 000
₡532
2 000
₡462
24 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)