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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado


onsemi Módulos MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
Hoja de datos
48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 900 V 149 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V 4.3 V - 40 C + 150 C 352 W NXH020U90MNF2 Tray


onsemi Módulos MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
Hoja de datos
44En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET 50KW GENII 1200V 80MOHM S
Hoja de datos
37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH80B120MNQ0 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Hoja de datos
112Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray