NXP Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
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Polaridad del transistor
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT DFN-16 N-Channel
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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244En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-780-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-2 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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1 038En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT HVSON-16 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-1230-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
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784En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PLD-1.5 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-1230G-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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20 826En existencias
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RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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313En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-WBG-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
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RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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3 618En existencias
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RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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370En existencias
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RF MOSFET Transistors Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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65En existencias
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RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-1230H-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
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8 571En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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5 633En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PLD-1.5 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
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46En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT NI-1230H-4S N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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535En existencias
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RF MOSFET Transistors Si Screw Mount TO-270 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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527En existencias
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RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-780-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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1 352En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PLD-1.5-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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21En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT OM-1230-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
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175En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-WB-4 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT TO-270-2 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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50En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT NI-1230 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT NI-1230 N-Channel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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121En existencias
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RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-1230H-4 N-Channel