Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 28

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 181,86
2 732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2 732En existencias

Cinta cortada

₡1 181,86

₡645,14

Envase tipo carrete

₡645,14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 610,15
7 460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

7 460En existencias

Cinta cortada

₡1 610,15

₡1 046,33

₡731,89

₡607,19

Envase tipo carrete

₡558,40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 859,53
2 662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2 662En existencias

Cinta cortada

₡1 859,53

₡1 214,39

₡856,58

₡731,89

₡721,04

Envase tipo carrete

₡666,83

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 40 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 867,91
396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

396En existencias

₡2 867,91

₡1 539,67

₡1 311,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 984,71
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

224En existencias

₡3 984,71

₡2 152,29

₡2 000,49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡9 698,84
1 552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 552En existencias

₡9 698,84

₡6 310,48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

109 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 584,02
1 266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 266En existencias

Cinta cortada

₡5 584,02

₡3 854,60

₡3 133,55

₡3 128,13

Envase tipo carrete

₡2 965,49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 093,14
1 077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R060C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 077En existencias

Cinta cortada

₡4 093,14

₡2 786,59

₡2 119,76

Envase tipo carrete

₡1 978,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 895,01
3 439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R104C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R104C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3 439En existencias

Cinta cortada

₡2 895,01

₡2 027,59

₡1 680,63

₡1 490,88

Ver

Envase tipo carrete

₡1 322,82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

83 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

42 nC

- 40 C

+ 150 C

122 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 415,95
364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

364En existencias

₡5 415,95

₡3 019,71

₡2 965,49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 984,71
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

589En existencias

₡3 984,71

₡2 152,29

₡1 978,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 413,00
928En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

928En existencias

₡4 413,00

₡2 472,15

₡2 228,18

₡1 393,29

₡1 311,97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 423,35
500En existencias
500Se espera el 30/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

500En existencias

500Se espera el 30/3/2026

₡2 423,35

₡1 252,34

₡1 138,49

₡1 019,22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 729,42
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

370En existencias

₡1 729,42

₡867,42

₡802,36

₡645,14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

346 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 423,35
583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

583En existencias

₡2 423,35

₡1 252,34

₡1 138,49

₡1 013,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 729,42
376En existencias
500Se espera el 9/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

376En existencias

500Se espera el 9/7/2026

₡1 729,42

₡867,42

₡786,10

₡645,14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 169,04
278En existencias
240Se espera el 7/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

278En existencias

240Se espera el 7/5/2026

₡4 169,04

₡2 298,66

₡2 217,34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

162 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 155,24
170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

170En existencias

₡3 155,24

₡1 789,05

₡1 490,88

₡1 447,51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 190,24
219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

219En existencias

₡2 190,24

₡1 208,97

₡992,11

₡889,11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 307,04
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

26En existencias

₡3 307,04

₡1 935,43

₡1 615,57

₡1 588,46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 770,32
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

223En existencias

₡2 770,32

₡1 555,93

₡1 290,29

₡1 219,81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 033,50
6 665Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

6 665Se espera el 11/6/2026

Cinta cortada

₡4 033,50

₡2 732,37

₡2 065,54

₡1 989,64

Envase tipo carrete

₡1 930,01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 708,71
560En existencias
2 160Se espera el 16/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

560En existencias

2 160Se espera el 16/4/2026

₡5 708,71

₡3 404,62

₡3 176,93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 960,07
1 941En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 941En pedido

Cinta cortada

₡2 960,07

₡2 016,75

₡1 447,51

₡1 404,14

Envase tipo carrete

₡1 311,97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡9 997,01
479Se espera el 11/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

479Se espera el 11/6/2026

₡9 997,01

₡6 559,86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

109 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

240 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte