Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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56 301En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 25 V 8 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 25 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
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74 623En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 25.7 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 203 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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81 087En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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53 845En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8
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102 947En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 18.6 A 8 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 108 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
Hoja de datos
32 163En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 19.2 A 15.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 135 nC - 55 C + 150 C 5.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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28 479En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 3.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 12V 1.4W
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3 986En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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3 262En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13.5A 0.0085Ohm
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7 280En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13.5 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2 499En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30.5 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 6.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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21 275En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25.4 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
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2 165En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm
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1 924En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs SO-8
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3 818En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 12 V 34 A 2.7 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 84 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 23A 3.5W
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6 517En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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6 347En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 3.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SO-8
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15 668En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 150 V 2.8 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 5.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2 355En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24.5 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 68 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8
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7 405En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 20 A 6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 95 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
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21 751En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
15 842En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8
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1 497En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 2.7 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 161 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
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3 248En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
4 354En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 20 V 8 A 19.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel