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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
Hoja de datos
2 157En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 169 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
Hoja de datos
9 776En existencias
6 000Se espera el 2/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
9 098En existencias
8 000Se espera el 30/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 216 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
Hoja de datos
19 446En existencias
22 000Se espera el 26/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 169 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
Hoja de datos
7 281En existencias
14 221Se espera el 7/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
3 926En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
Hoja de datos
1 213En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1 410En existencias
200Se espera el 2/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V StrongIRFET Power Mosfet
Hoja de datos
2 602En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 85 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel