N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 80m 3rd Gen TO-247-4L
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel