TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs

Vishay TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs feature top-side cooling and offer an additional venue for thermal transfer. These MOSFETs come in the PowerPAK® SO-8DC package. The TrenchFET double cooling MOSFETs offer variants with different drain-source breakdown voltages of 25V, 30V, 40V, 60V, 80V, 100V, 150V, and 200V. These N-channel MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to 150°C. The TrenchFET MOSFETs can be utilized for product-specific applications including synchronous rectification, DC/DC conversion, power supplies, battery management, and others.

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
22 740En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 95 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
52 020En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 95 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
8 815En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 670 uOhms - 16 V, 20 V 1 V 170 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
11 457En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 39.6 A 31.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
19 700En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SO-8DC N-Channel 1 Channel 100 V 104 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
6 038En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 64.6 A 17.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
2 676En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
156En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 16 V, 20 V 800 mV 102 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
1 069En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 620 uOhms - 10 V, 10 V 1 V 125 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
8 692En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.16 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
6 000Se espera el 11/5/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 69.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Hoja de datos
3 000Existencias disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.16 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A
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No en existencias
Min.: 6 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 16 V, 20 V 2 V 153 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement TrenchFET Reel