Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (R_DS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (C_iss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (C_OSS) lowers the output charge (Q_OSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

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Resultados: 11

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

TK2R4E08QM,S1X
Toshiba
1: ₡2 987,47
894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R4E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm

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894En existencias

₡2 987,47

₡1 587,42

₡1 342,80

₡1 217,89

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

178 nC

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

TK5R3E08QM,S1X
Toshiba
1: ₡1 493,74
5 576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R3E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R3E08QMS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm

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5 576En existencias

₡1 493,74

₡723,45

₡556,90

₡493,40

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

55 nC

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

TPH3R10AQM,LQ
Toshiba
1: ₡1 342,80
3 699En existencias
15 000Se espera el 8/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R10AQM,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R10AQMLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

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3 699En existencias

15 000Se espera el 8/6/2026

Cinta cortada

₡1 342,80

₡863,97

₡593,33

₡472,58

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Envase tipo carrete

₡407,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

TK5R1A08QM,S4X
Toshiba
1: ₡1 394,85
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R1A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm

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263En existencias

₡1 394,85

₡687,01

₡629,76

₡481,43

₡428,34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

70 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

54 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm

TK6R8A08QM,S4X
Toshiba
1: ₡1 171,05
488En existencias

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TK6R8A08QM,S4X

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757-TK6R8A08QMS4X

Toshiba

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₡1 171,05

₡567,31

₡519,42

₡400,76

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

58 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm

TK7R0E08QM,S1X
Toshiba
1: ₡1 217,89
435En existencias

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TK7R0E08QM,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R0E08QMS1X

Toshiba

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435En existencias

₡1 217,89

₡593,33

₡507,97

₡466,34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

87 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm

TK5R1P08QM,RQ
Toshiba
1: ₡1 306,37
4 935Se espera el 23/9/2026

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TK5R1P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R1P08QMRQ

Toshiba

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4 935Se espera el 23/9/2026

Cinta cortada

₡1 306,37

₡837,95

₡572,51

₡456,45

₡420,02

Envase tipo carrete

₡390,87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

84 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

TK6R9P08QM,RQ
Toshiba
1: ₡1 092,98
9 979En pedido

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TK6R9P08QM,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R9P08QMRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm

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Cinta cortada

₡1 092,98

₡702,63

₡471,02

₡379,42

₡344,03

Envase tipo carrete

₡308,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-2 (TO-252-2)

N-Channel

1 Channel

80 V

62 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

39 nC

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

TK3R3E08QM,S1X
Toshiba
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250Se espera el 12/6/2026

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TK3R3E08QM,S1X

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757-TK3R3E08QMS1X

Toshiba

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250Se espera el 12/6/2026

₡2 014,20

₡1 020,11

₡916,02

₡749,47

₡702,63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

110 nC

+ 175 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

TK3R2A08QM,S4X
Toshiba
1: ₡1 894,49
150Se espera el 31/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R2A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R2A08QMS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

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150Se espera el 31/8/2026

₡1 894,49

₡952,45

₡837,95

₡697,42

₡650,58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

92 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

102 nC

+ 175 C

45 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm

TK2R4A08QM,S4X
Toshiba
1: ₡2 357,71
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TK2R4A08QM,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R4A08QMS4X

Toshiba

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₡1 171,05

₡1 072,16

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

2.44 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

179 nC

+ 175 C

47 W

Enhancement

Tube

80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

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