STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
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1 168En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 175 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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1 816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 780 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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1 884En existencias
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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664En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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739En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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2 904En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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2 970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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3 192En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
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1 325En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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1 756En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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772En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 550 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
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899En existencias
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Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
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1 873En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 95 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 127 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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1 329En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
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1 256En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
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601En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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636En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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503En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
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817En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.1 A 6.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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966En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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1 143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
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996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32.4 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package
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907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube