.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 1 347

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH

STD4NK50ZT4
STMicroelectronics
1: ₡1 125,20
2 304En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK50Z

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

2 304En existencias

Cinta cortada

₡1 125,20

₡713,40

₡477,92

₡385,12

₡346,26

Envase tipo carrete

₡319,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

2.4 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: ₡1 861,80
2 487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

2 487En existencias

Cinta cortada

₡1 861,80

₡1 218,00

₡887,40

₡754,00

₡672,80

Envase tipo carrete

₡672,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH65N050DM9-7AG
STMicroelectronics
1: ₡5 220,00
896En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STH65N050DM9-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

896En existencias

Cinta cortada

₡5 220,00

₡3 578,60

₡2 847,80

Envase tipo carrete

₡2 662,20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 50 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU65N050DM9AG
STMicroelectronics
1: ₡5 498,40
455En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU65N050DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU65N050DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

455En existencias

Cinta cortada

₡5 498,40

₡3 775,80

₡3 045,00

Envase tipo carrete

₡2 842,00

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: ₡3 358,20
1 616En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO450N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1 616En existencias

Cinta cortada

₡3 358,20

₡2 459,20

₡1 780,60

₡1 774,80

₡1 658,80

Envase tipo carrete

₡1 658,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

60 V

545 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: ₡1 368,80
1 962En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

Obtenga más información

Hoja de datos

1 962En existencias

₡1 368,80

₡788,80

₡609,00

₡512,14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

378 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 75V

STB76NF75
STMicroelectronics
1: ₡736,60
959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB76NF75

N.º de artículo de Mouser
511-STB76NF75

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 75V

Hoja de datos

959En existencias

Cinta cortada

₡736,60

₡614,80

₡585,80

Envase tipo carrete

₡546,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 154,20
2 265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

2 265En existencias

Cinta cortada

₡1 154,20

₡736,60

₡499,96

₡423,98

₡367,72

Envase tipo carrete

₡336,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

1.06 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU16N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 658,80
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

808En existencias

₡1 658,80

₡771,40

₡701,80

₡597,40

₡568,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

STD1HN60K3
STMicroelectronics
1: ₡1 235,40
1 444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1HN60K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD1HN60K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

Obtenga más información

Hoja de datos

1 444En existencias

Cinta cortada

₡1 235,40

₡788,80

₡540,56

₡444,28

₡391,50

Envase tipo carrete

₡372,94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.2 A

6.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU26N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 059,00
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

922En existencias

₡2 059,00

₡1 339,80

₡1 026,60

₡858,40

₡748,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

STP8N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 722,60
984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

984En existencias

₡1 722,60

₡858,40

₡742,40

₡626,40

₡603,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 136,80
2 122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2 122En existencias

Cinta cortada

₡1 136,80

₡730,80

₡490,10

₡389,18

₡356,70

Envase tipo carrete

₡339,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STB24NM60N
STMicroelectronics
1: ₡4 083,20
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

223En existencias

Cinta cortada

₡4 083,20

₡2 801,40

₡2 093,80

Envase tipo carrete

₡1 919,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF19NM50N
STMicroelectronics
1: ₡2 859,40
556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

Obtenga más información

Hoja de datos

556En existencias

₡2 859,40

₡1 653,00

₡1 508,00

₡1 334,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

STH260N6F6-2
STMicroelectronics
1: ₡2 372,20
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH260N6F6-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI

Obtenga más información

Hoja de datos

693En existencias

Cinta cortada

₡2 372,20

₡1 774,80

₡1 368,80

₡1 212,20

Envase tipo carrete

₡1 073,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: ₡1 566,00
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

Hoja de datos

913En existencias

₡1 566,00

₡1 003,40

₡684,40

₡567,82

₡491,84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: ₡3 706,20
243En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

243En existencias

Cinta cortada

₡3 706,20

₡2 575,20

₡1 885,00

₡1 780,60

Envase tipo carrete

₡1 757,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

600 V

39 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: ₡4 454,40
225En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

225En existencias

Cinta cortada

₡4 454,40

₡3 045,00

₡2 325,80

₡2 186,60

Envase tipo carrete

₡2 169,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

44 mOhms

30 V

4.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

STK615N4F8AG
STMicroelectronics
1: ₡2 801,40
496En existencias
2 000Se espera el 29/6/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STK615N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STK615N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

496En existencias

2 000Se espera el 29/6/2026

Cinta cortada

₡2 801,40

₡1 861,80

₡1 322,40

₡1 247,00

₡1 177,40

Envase tipo carrete

₡1 160,00

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: ₡1 218,00
910En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL160N6LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N6LF7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

910En existencias

Cinta cortada

₡1 218,00

₡777,20

₡526,64

₡418,76

₡390,34

Envase tipo carrete

₡371,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: ₡3 445,20
1 022En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1 022En existencias

₡3 445,20

₡2 604,20

₡2 099,60

₡1 867,60

₡1 653,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: ₡2 673,80
1 608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

Hoja de datos

1 608En existencias

₡2 673,80

₡1 438,40

₡1 276,00

₡1 090,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

320 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

STP7NK40Z
STMicroelectronics
1: ₡1 426,80
2 333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

2 333En existencias

₡1 426,80

₡701,80

₡506,92

₡462,26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

5.4 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N4F8AG
STMicroelectronics
1: ₡1 183,20
3 051En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL165N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL165N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3 051En existencias

Cinta cortada

₡1 183,20

₡759,80

₡511,56

₡406,58

₡376,42

Envase tipo carrete

₡358,44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W