STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package 382En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa 841En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 188 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 963En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package 2 440En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.5 A 1.5 Ohms - 25 V, 25 V 2.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power 724En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 185En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 953En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 275 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1 939En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 120 Amp 1 583En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp 2 196En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 0.15Ohm 15A N-Channel 2 828En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MESH OVERLAY Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp 1 376En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 64 nC - 65 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 1 862En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp 3 783En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 55 A 14 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 37 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 4 732En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 65 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 1 816En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package 6 270En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 30 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 5 448En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement STripFET Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II 6 884En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 1 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp 25 937En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 2.4 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 6.5 Amp 7 714En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 30 V 6.5 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 4A STripFET 18 609En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II 19 366En existencias
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 1 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A 1 260En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 233 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp 5 957En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 26 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement STripFET Tube