STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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1 000En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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12 297En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 10 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
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1 377En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 198 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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3 422En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
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2 390En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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4 380En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
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1 090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
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930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
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1 254En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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3 243En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
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1 983En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V
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4 461En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 18 A 6.1 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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4 033En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
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1 269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10.5 A 750 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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6 637En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
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2 190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
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728En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp
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3 174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 65 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
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809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6.5 A 1.85 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
1 897En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package
Hoja de datos
7 949En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Hoja de datos
5 873En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.5 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
Hoja de datos
717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 13 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 190 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
Hoja de datos
1 460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube