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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1 354

Filtros aplicados:

Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

STF24NM60N
STMicroelectronics
1: ₡2 488,20
2 087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

Hoja de datos

2 087En existencias

₡2 488,20

₡1 293,40

₡1 165,80

₡1 003,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU23N80K5
STMicroelectronics
1: ₡2 859,40
1 960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

1 960En existencias

₡2 859,40

₡2 291,00

₡1 664,60

₡1 641,40

₡1 455,80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL110N4F7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 107,80
5 207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i

Hoja de datos

5 207En existencias

Cinta cortada

₡1 107,80

₡707,60

₡468,64

₡383,96

₡336,40

Envase tipo carrete

₡305,08

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

108 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
1: ₡1 351,40
3 598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

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Hoja de datos

3 598En existencias

Cinta cortada

₡1 351,40

₡864,20

₡597,40

₡488,36

₡434,42

Envase tipo carrete

₡412,96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

495 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET

STL76DN4LF7AG
STMicroelectronics
1: ₡1 334,00
16 014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL76DN4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL76DN4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 5 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

16 014En existencias

Cinta cortada

₡1 334,00

₡858,40

₡585,80

₡466,32

₡429,20

Envase tipo carrete

₡422,24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

STL7LN65K5AG
STMicroelectronics
1: ₡2 105,40
5 808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7LN65K5AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL7LN65K5AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in

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Hoja de datos

5 808En existencias

Cinta cortada

₡2 105,40

₡1 380,40

₡962,80

₡846,80

₡788,80

Envase tipo carrete

₡788,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-VHV-8

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

11.7 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

STL7N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 368,80
5 551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

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Hoja de datos

5 551En existencias

Cinta cortada

₡1 368,80

₡945,40

₡701,80

₡603,20

₡568,98

Envase tipo carrete

₡568,98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

800 V

3.6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
1: ₡2 981,20
1 586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK70ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK70ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

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Hoja de datos

1 586En existencias

₡2 981,20

₡1 554,40

₡1 415,20

₡1 264,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3.75 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STP12NM50FP
STMicroelectronics
1: ₡2 511,40
1 321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NM50FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

Hoja de datos

1 321En existencias

₡2 511,40

₡1 664,60

₡1 502,20

₡1 345,60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

39 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250V STripFET II Mosfet

STP17NF25
STMicroelectronics
1: ₡1 090,40
3 069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP17NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STP17NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250V STripFET II Mosfet

Hoja de datos

3 069En existencias

₡1 090,40

₡523,16

₡432,68

₡370,62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29.5 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

STP20N65M5
STMicroelectronics
1: ₡2 279,40
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

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Hoja de datos

969En existencias

₡2 279,40

₡1 183,20

₡1 073,00

₡875,80

₡870,00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

STP3NK80Z
STMicroelectronics
1: ₡1 467,40
1 947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP3NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1 947En existencias

₡1 467,40

₡719,20

₡649,60

₡517,94

₡470,38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: ₡4 083,20
1 144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

Obtenga más información

Hoja de datos

1 144En existencias

₡4 083,20

₡2 209,80

₡1 931,40

₡1 902,40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
1: ₡6 078,40
397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW58N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW58N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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Hoja de datos

397En existencias

₡6 078,40

₡4 210,80

₡3 538,00

₡3 300,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
1: ₡2 389,60
6 137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

6 137En existencias

Cinta cortada

₡2 389,60

₡1 734,20

₡1 426,80

₡1 345,60

Envase tipo carrete

₡1 293,40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: ₡2 470,80
2 032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2 032En existencias

Cinta cortada

₡2 470,80

₡1 653,00

₡1 171,60

₡1 067,20

Envase tipo carrete

₡997,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: ₡4 315,20
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

939En existencias

Cinta cortada

₡4 315,20

₡2 975,40

₡2 262,00

Envase tipo carrete

₡2 111,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

93 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 647,20
2 734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2 734En existencias

Cinta cortada

₡1 647,20

₡1 067,20

₡736,60

₡603,20

₡562,02

Envase tipo carrete

₡562,02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A

STD1NK60-1
STMicroelectronics
1: ₡939,60
4 043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1NK60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A

Obtenga más información

Hoja de datos

4 043En existencias

₡939,60

₡421,08

₡349,16

₡305,66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

8 Ohms

- 30 V, 30 V

2.25 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

STD2N62K3
STMicroelectronics
1: ₡1 212,20
2 969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2 969En existencias

Cinta cortada

₡1 212,20

₡777,20

₡525,48

₡418,18

₡390,92

Envase tipo carrete

₡367,72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
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STD5N60M2

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511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

1.4 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II

STD7ANM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

AEC-Q100

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

STF21N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N105K5
STMicroelectronics
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1 471En existencias

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STF7N105K5

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511-STF7N105K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU13N80K5
STMicroelectronics
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STFU13N80K5

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511-STFU13N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

370 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W