.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics MDmesh Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 680

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = MDmesh

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

STY145N65M5
STMicroelectronics
1: ₡19 906
2 798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY145N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY145N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

2 798En existencias

₡19 906

₡13 120

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

138 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

414 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: ₡4 170
4 094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

4 094En existencias

₡4 170

₡2 668

₡2 488

₡2 169

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 703
1 256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Hoja de datos

1 256En existencias

Cinta cortada

₡2 703

₡1 786

₡1 398

₡1 241

₡1 061

Envase tipo carrete

₡957

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STB24N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 047
2 628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

Hoja de datos

2 628En existencias

Cinta cortada

₡2 047

₡1 334

₡940

₡818

Envase tipo carrete

₡713

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB24N60M6
STMicroelectronics
1: ₡2 042
1 580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 580En existencias

Cinta cortada

₡2 042

₡1 334

₡934

₡812

Envase tipo carrete

₡742

₡661

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: ₡2 929
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

836En existencias

Cinta cortada

₡2 929

₡1 943

₡1 543

₡1 369

Envase tipo carrete

₡1 061

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
1: ₡2 929
4 482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

4 482En existencias

Cinta cortada

₡2 929

₡1 949

₡1 392

₡1 322

Envase tipo carrete

₡1 073

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: ₡4 918
1 755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1 755En existencias

Cinta cortada

₡4 918

₡3 387

₡2 662

Envase tipo carrete

₡2 169

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB8N90K5
STMicroelectronics
1: ₡2 372
1 178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 178En existencias

Cinta cortada

₡2 372

₡1 560

₡1 102

₡992

Envase tipo carrete

₡858

₡806

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1 000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: ₡899
8 530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

Obtenga más información

Hoja de datos

8 530En existencias

Cinta cortada

₡899

₡570

₡380

₡299

Envase tipo carrete

₡231

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

STD5NM50AG
STMicroelectronics
1: ₡1 415
5 733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM50AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM50AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

Hoja de datos

5 733En existencias

Cinta cortada

₡1 415

₡940

₡644

₡514

Envase tipo carrete

₡429

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 560
2 672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2 672En existencias

Cinta cortada

₡1 560

₡1 003

₡696

₡560

Envase tipo carrete

₡466

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: ₡1 212
4 865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

4 865En existencias

Cinta cortada

₡1 212

₡771

₡538

₡455

Envase tipo carrete

₡346

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50
STMicroelectronics
1: ₡16 547
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE48NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STE48NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

Hoja de datos

163En existencias

₡16 547

₡12 105

₡11 240

₡10 278

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

48 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

117 nC

- 65 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: ₡3 329
1 658En existencias
1 000Se espera el 27/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

Obtenga más información

Hoja de datos

1 658En existencias

1 000Se espera el 27/7/2026

₡3 329

₡2 013

₡1 844

₡1 734

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: ₡4 379
2 032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

Hoja de datos

2 032En existencias

₡4 379

₡2 442

₡2 245

₡2 111

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: ₡3 532
1 534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1 534En existencias

₡3 532

₡2 419

₡1 955

₡1 740

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 885
3 803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

Obtenga más información

Hoja de datos

3 803En existencias

Cinta cortada

₡1 885

₡1 224

₡864

₡737

Envase tipo carrete

₡621

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

290 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: ₡2 210
2 130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

2 130En existencias

Cinta cortada

₡2 210

₡1 450

₡1 015

₡905

₡899

Envase tipo carrete

₡731

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3 000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

186 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N120K5
STMicroelectronics
1: ₡4 918
1 732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1 732En existencias

₡4 918

₡2 703

₡2 488

₡2 163

₡2 158

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N65M2
STMicroelectronics
1: ₡2 129
850En existencias
1 000Se espera el 4/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

850En existencias

1 000Se espera el 4/5/2026

₡2 129

₡1 288

₡1 195

₡1 027

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

117 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STU10NM60N
STMicroelectronics
1: ₡2 268
2 998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

Hoja de datos

2 998En existencias

₡2 268

₡1 485

₡1 090

₡969

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

530 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N90K5
STMicroelectronics
1: ₡8 091
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

422En existencias

₡8 091

₡5 087

₡5 081

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

40 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: ₡3 561
1 024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

Obtenga más información

Hoja de datos

1 024En existencias

₡3 561

₡2 633

₡2 094

₡2 088

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: ₡5 875
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

529En existencias

₡5 875

₡3 526

₡3 126

₡3 051

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics MDmesh Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
I2PAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-5x6-VHV-8
PowerFLAT-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4

600 mA
1.5 A
2 A
2.2 A
2.3 A
2.5 A
2.7 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.6 A
3.7 A
3.8 A
4 A
4.2 A
4.4 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.5 A

15 mOhms
17 mOhms
19 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
39 mOhms
40 mOhms
41 mOhms
42 mOhms
44 mOhms
45 mOhms
46 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
55 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
5 nC
5.3 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
7.5 nC
8 nC
8.5 nC
8.6 nC
8.8 nC
9 nC
9.5 nC
9.8 nC
10 nC

2 W
2.5 W
2.8 W
3 W
6 W
20 W
21 W
22 W
23 W
25 W
30 W
34 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
48 W
50 W
52 W