STL28N60DM2
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511-STL28N60DM2
STL28N60DM2
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Hoja de datos:
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 1 231
-
Existencias:
-
1 231 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| ₡2 789,69 | ₡2 789,69 | |
| ₡1 826,83 | ₡18 268,30 | |
| ₡1 363,62 | ₡136 362,00 | |
| ₡1 145,02 | ₡572 510,00 | |
| ₡1 061,75 | ₡1 061 750,00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000) | ||
| ₡999,29 | ₡2 997 870,00 | |
| ₡968,07 | ₡5 808 420,00 | |
| 9 000 | Presupuesto | |