NXP Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
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20 767En existencias
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N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15 dB 8 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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244En existencias
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N-Channel Si 105 V 720 MHz to 960 MHz 19.2 dB 100 W - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-780-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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487En existencias
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N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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1 038En existencias
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N-Channel Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 16.2 dB 6.5 W - 40 C + 150 C SMD/SMT HVSON-16 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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41En existencias
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N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
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784En existencias
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N-Channel Si 50 mA 68 V 1 MHz to 2 GHz 19 dB 4 W + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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5En existencias
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Carrete: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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313En existencias
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N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WBG-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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3 618En existencias
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N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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370En existencias
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N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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65En existencias
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N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 25.1 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
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8 571En existencias
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N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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5 633En existencias
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N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15.2 dB 7.3 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
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46En existencias
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N-Channel Si 36 A 135 V 1.8 MHz to 500 MHz 23.7 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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535En existencias
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N-Channel Si 1.5 A 66 V 1 GHz 21.1 dB 14 W + 150 C Screw Mount TO-270 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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527En existencias
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N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.5 dB 300 W + 150 C Screw Mount NI-780-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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1 352En existencias
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N-Channel Si 68 V 1 MHz to 2 GHz 18 dB 4 W + 150 C SMD/SMT PLD-1.5-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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21En existencias
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N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
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175En existencias
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N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WB-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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457En existencias
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N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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50En existencias
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N-Channel Si 2 A 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 25 dB 600 W + 150 C SMD/SMT NI-1230 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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121En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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253En existencias
Min.: 1
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No
N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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49En existencias
500Se espera el 16/2/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 17.7 dB 33 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel, Cut Tape, MouseReel