Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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Si
20 A
125 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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Si
4 A
25 V
1 GHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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Si
5 A
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1 GHz
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SMD/SMT
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
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NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
110 En existencias
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N-Channel
Si
2.5 A
110 V
1 Ohms
1 GHz
19 dB
400 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CB4
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NRND
N.º de artículo de Mouser
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NRND
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
20 En existencias
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N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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₡4 860
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N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3 815 En existencias
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3 000
₡2 778
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₡2 865
3 000
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N-Channel
Si
5 A
25 V
1 GHz
15 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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3 725 En existencias
3 000 Se espera el 27/7/2026
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3 725 En existencias
3 000 Se espera el 27/7/2026
1
₡4 460
10
₡3 202
100
₡2 790
500
₡2 709
1 000
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3 000
₡2 552
1 000
₡2 674
3 000
₡2 552
9 000
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Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
40 V
1 GHz
17 dB
3 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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1:
₡53 250
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N.º de artículo de Mouser
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
536 En existencias
1
₡53 250
10
₡42 247
100
₡39 887
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
20 A
125 V
230 MHz
15 dB
150 W
+ 150 C
SMD/SMT
M174
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
360°
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SD2932W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
132 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
40 A
125 V
250 MHz
16 dB
300 W
+ 150 C
SMD/SMT
M244
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55003TR-E
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389 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
389 En existencias
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1
₡5 121
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₡3 695
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600
₡3 120
1 200
₡3 010
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
40 V
1 GHz
17 dB
3 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55008TR-E
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1:
₡8 851
689 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
689 En existencias
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1
₡8 851
10
₡6 542
100
₡5 794
600
₡5 545
1 200
₡5 498
2 400
Ver
2 400
Presupuesto
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N-Channel
Si
4 A
40 V
1 GHz
17 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015-E
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1:
₡13 218
170 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
170 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡13 218
10
₡9 547
100
₡8 880
400
₡8 665
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
5 A
40 V
1 GHz
14 dB
15 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD57018-E
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1:
₡17 661
186 En existencias
400 Se espera el 17/2/2026
N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
186 En existencias
400 Se espera el 17/2/2026
Embalaje alternativo
1
₡17 661
10
₡15 063
100
₡13 178
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
760 mOhms
1 GHz
16.5 dB
18 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD57030-E
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1:
₡28 356
394 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
394 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
65 V
1 GHz
14 dB
30 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
360°
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SD2933W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
Plazo de entrega 28 Semanas
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