Microchip MOSFETs de SiC

Resultados: 119
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268 242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 59 A 35 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 178 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD 862En existencias
270Se espera el 27/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247 44En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 149 A 19 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247 58En existencias
56Se espera el 18/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 77 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 99 nC - 55 C + 175 C 283 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247 49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 50 mOhms - 10 V, + 25 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247 140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 55En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 39 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-268 144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 37 A 69 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 80 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268 63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 64 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247 162En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 28 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-268 88En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC 1200V, 360mOhms N-Channel mSiC MOSFET 20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247 188En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268 45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 4.4 A 750 mOhms - 10 V, + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
230En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 3.3 kV 41 A 105 mOhms - 10 V, + 23 V 2.97 V 55 nC - 55 C + 150 C 381 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268 Plazo de entrega 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 25 A 111 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 38 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1.2 kV 180 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-268 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 360 mOhms
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 90 mOhm PSMT Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 200
Mult.: 200
Carrete: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 700 V 32 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm PSMT Plazo de entrega no en existencias 5 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm PSMT Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 200
Mult.: 200
Carrete: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 11 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-263-7L-XL Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 200
Mult.: 200
Carrete: 100

SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 940 mOhms - 10 V , + 23 V 3.25 V 11 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268, TAPE & REEL Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 40 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm PSMT Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1 300
Mult.: 1 300
Carrete: 1 300

SMD/SMT PSMT-16 N-Channel 1 Channel 700 V 48 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 215 W Enhancement