AS3008316 Serie Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1 056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray