Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
SD2931-10W
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550 Se espera el 9/7/2026
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511-SD2931-10W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
9 En existencias
550 Se espera el 9/7/2026
1
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M174
Si
230 MHz
150 W
+ 150 C
15 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
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SD2932BW
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
Si
250 MHz
300 W
+ 200 C
15 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
360°
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SD2941-10W
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511-SD2941-10W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
19 En existencias
1
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
Si
175 MHz
175 W
+ 200 C
15 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
SD4933MR
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
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100 Se espera el 13/7/2026
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M177MR-5
Si
100 MHz
300 W
- 65 C
+ 150 C
24 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
SD57045
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1:
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3 En existencias
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SD57045
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511-SD57045
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
3 En existencias
1
₡53 613,14
10
₡44 546,63
100
₡40 351,68
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M243
Si
1 GHz
45 W
- 65 C
+ 150 C
13 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
360°
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SD2933W
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250 Se espera el 14/5/2027
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SD2933W
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511-SD2933W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
250 Se espera el 14/5/2027
1
₡65 942,97
10
₡56 569,38
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RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
ST9045C
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1:
₡46 186,10
45 Se espera el 23/7/2026
N.º de artículo del Fabricante
ST9045C
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511-ST9045C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
45 Se espera el 23/7/2026
1
₡46 186,10
10
₡38 165,73
100
₡37 051,93
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M243-3
Si
1.5 GHz
+ 200 C
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
PD54008TR-E
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600:
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511-PD54008TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Si
1 GHz
8 W
- 65 C
+ 150 C
11.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55003S-E
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1:
₡7 135,58
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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511-PD55003S-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡7 135,58
10
₡5 319,16
100
₡4 429,16
400
₡3 950,33
1 200
₡3 690,10
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
3 W
- 65 C
+ 150 C
17 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55015STR-E
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600:
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511-PD55015STR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Carrete :
600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
15 W
- 65 C
+ 150 C
14 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
PD55025TR-E
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600:
₡11 439,83
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N.º de artículo de Mouser
511-PD55025TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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Mult.: 600
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600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-2
Si
500 MHz
25 W
+ 165 C
14.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD57018STR-E
STMicroelectronics
600:
₡11 809,36
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-PD57018STR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Min.: 600
Mult.: 600
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600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
18 W
- 65 C
+ 150 C
16.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD57018TR-E
STMicroelectronics
600:
₡11 861,41
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-PD57018TR-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Min.: 600
Mult.: 600
Carrete :
600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Si
1 GHz
18 W
- 65 C
+ 150 C
16.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD57030S-E
STMicroelectronics
400:
₡17 487,64
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030S-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Min.: 400
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
30 W
- 65 C
+ 150 C
14 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD57045-E
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400:
₡21 958,44
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N.º de artículo de Mouser
511-PD57045-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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Min.: 400
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Si
1 GHz
45 W
- 65 C
+ 150 C
13 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060S-E
STMicroelectronics
400:
₡23 535,45
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N.º de artículo de Mouser
511-PD57060S-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 400
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
60 W
- 65 C
+ 150 C
14.3 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060TR-E
STMicroelectronics
600:
₡23 467,78
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-PD57060TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete :
600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Si
1 GHz
60 W
- 65 C
+ 150 C
14.3 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
PD85035S-E
STMicroelectronics
400:
₡10 955,80
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-PD85035S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 400
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
35 W
- 65 C
+ 150 C
14.9 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
PD85035STR-E
STMicroelectronics
600:
₡11 887,43
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-PD85035STR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 600
Mult.: 600
Carrete :
600
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
Si
1 GHz
35 W
- 65 C
+ 150 C
14.9 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L15200CB4
STMicroelectronics
100:
₡81 083,30
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L15200CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
LBB-5
Si
860 MHz
200 W
+ 200 C
17.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16180CF2
STMicroelectronics
120:
₡63 064,79
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CF2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 120
Mult.: 120
Carrete :
120
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
B2-3
Si
1.47 GHz
180 W
+ 200 C
17.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L27015CG2
STMicroelectronics
300:
₡18 018,51
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27015CG2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete :
300
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
E2-3
Si
2.7 GHz
15 W
+ 200 C
19 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L27025CG2
STMicroelectronics
300:
₡19 397,75
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27025CG2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete :
300
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
E2-3
Si
2.7 GHz
25 W
+ 200 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L36040CF2
STMicroelectronics
160:
₡31 529,79
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L36040CF2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 160
Mult.: 160
Carrete :
160
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
A2-3
Si
3.6 GHz
40 W
+ 200 C
14 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF3L05150CB4
STMicroelectronics
1:
₡102 266,25
Plazo de entrega 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05150CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega 52 Semanas
1
₡102 266,25
10
₡81 083,30
100
₡81 083,30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
LBB-4
Si
945 MHz
150 W
+ 200 C
16 dB
Reel, Cut Tape