Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT65R65AL
STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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RF MOSFET Transistors
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GaN Si
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
HEMT
GaN SiC
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- 40 C
+ 85 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
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SMD/SMT
NI-780
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750 W
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RF JFET Transistors
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RF JFET Transistors
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GaAs
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor
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RF JFET Transistors
4.5 mm x 4 mm
HEMT
GaN SiC
2.5 GHz to 5 GHz
37.7 dBm
18.6 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT
QPD2018D
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
pHEMT
GaAs
14 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT
QPD2060D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
QPD1016L
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
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RF JFET Transistors
Flange Mount
NI-780
JFET
GaN SiC
DC to 1.7 GHz
537 W
18 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
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841-MRF6V12250HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
Si
960 MHz to 1.215 GHz
27.5 W
+ 150 C
20.3 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230-4L
LDMOS FET
Si
1.8 MHz to 500 MHz
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
23 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
46 098 En existencias
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₡1 081
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₡737
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6 000:
₡709
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₡692
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
SC-70-4
pHEMT
GaAs
- 40 C
+ 85 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
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841-MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
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1:
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10:
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25:
₡308 651
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RF MOSFET Transistors
Flange Mount
GaN SiC
1 MHz to 2.7 GHz
125 W
- 55 C
+ 150 C
16 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
A5G35H120NT2
NXP Semiconductors
Disponibilidad restringida
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N.º de artículo de Mouser
771-A5G35H120NT2
Nuevo producto
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
DFN-10
GaN Si
3.3 GHz to 3.7 GHz
18 W
- 55 C
+ 150 C
14.1 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT
QPD2025D
Qorvo
100:
₡7 059
100 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-QPD2025D
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT
100 En existencias
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RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
QPD1425L
Qorvo
1:
₡408 148
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Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1425L
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
24 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Flange Mount
NI-400
GaN SiC
2 GHz
56.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
20.6 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
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₡137 017
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
20 En existencias
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
LBB-5
LDMOS FET
Si
1 GHz
120 W
-
+ 200 C
20 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
₡109 747
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
112 En existencias
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
B4E-5
LDMOS FET
Si
1 GHz
400 W
-
+ 200 C
19 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
QPD1425
Qorvo
1:
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QPD1425
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1425
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
22 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Flange Mount
NI-400
GaN SiC
2 GHz
56.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
20.6 dB
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD1004SR
Qorvo
1:
₡100 760
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N.º de artículo de Mouser
772-QPD1004SR
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .03-1.2GHz 25W 50V GaN
589 En existencias
1:
₡100 760
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₡73 074
100:
₡52 780
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
DFN-8
HEMT
GaN SiC
30 MHz to 1.2 GHz
40 W
- 40 C
+ 85 C
20.8 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2977-SM
Qorvo
1:
₡31 579
1 030 En existencias
850 Se espera el 8/1/2024
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2977-SM
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
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850 Se espera el 8/1/2024
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
QFN-16
HEMT
GaN SiC
DC to 12 GHz
6 W
+ 225 C
13 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD1008L
Qorvo
1:
₡274 381
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1008L
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
65 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF JFET Transistors
Screw Mount
NI-360
HEMT
GaN SiC
3.2 GHz
162 W
- 40 C
+ 85 C
17.5 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
TGF3020-SM
Qorvo
1:
₡56 234
532 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-TGF3020-SM
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
532 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
QFN-16
GaN SiC
4 GHz to 6 GHz
5 W
- 40 C
+ 85 C
13 dB
Tray