Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V SSM3J134TU,LF Toshiba 1: ₡317,48 13 744En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J134TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J134TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	13 744En existencias	Cinta cortada ₡317,48 ₡142,09 ₡124,91 ₡94,20 Envase tipo carrete ₡62,46 Ver ₡58,81 ₡54,65	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	3.2 A	93 mOhms	8 V	1 V	4.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: ₡1 264,73 5 309En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ30S06M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	5 309En existencias	Cinta cortada ₡1 264,73 ₡619,35 ₡556,90 ₡440,83 ₡415,33 Envase tipo carrete ₡372,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	21.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 TJ40S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: ₡1 254,32 4 054En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ40S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	4 054En existencias	Cinta cortada ₡1 254,32 ₡614,15 ₡551,69 ₡443,44 ₡415,33 Envase tipo carrete ₡368,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.1 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba 1: ₡359,12 455En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J213FE(TE85L,F N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J213FETE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	455En existencias	Cinta cortada ₡359,12 ₡160,30 ₡140,53 ₡87,96 Envase tipo carrete ₡64,02 Ver ₡84,32 ₡55,17 ₡50,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4 000	Si	SMD/SMT	ES6-6	P-Channel	1 Channel	20 V	2.6 A	250 mOhms	8 V	1 V	4.7 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET SSM3J378R,LXHF Toshiba 1: ₡343,51 86 515En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J378R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	86 515En existencias	Cinta cortada ₡343,51 ₡155,10 ₡136,36 ₡103,05 Envase tipo carrete ₡78,59 Ver ₡78,07 ₡68,18 ₡61,41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	29.8 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package SSM3J66MFV,L3F Toshiba 1: ₡197,78 19 012En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J66MFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J66MFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	19 012En existencias	Cinta cortada ₡197,78 ₡86,40 ₡75,47 ₡56,21 Envase tipo carrete ₡35,91 Ver ₡54,65 ₡41,64 ₡30,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8 000	Si	SMD/SMT	VESM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	4 Ohms	- 8 V, 6 V	1 V	1.6 nC	- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W TPC8132,LQ(S Toshiba 1: ₡541,28 5 829En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPC8132,LQ(S N.º de artículo de Mouser 757-TPC8132LQS	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	5 829En existencias	Cinta cortada ₡541,28 ₡249,82 ₡221,20 ₡170,19 Envase tipo carrete ₡151,46 Ver ₡167,07 ₡143,13 ₡118,67 ₡115,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	SOP-8	P-Channel	1 Channel	40 V	7 A	33 mOhms	- 25 V, 20 V	2 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	1.9 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD SSM6N55NU,LF Toshiba 1: ₡265,44 9 093En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N55NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N55NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	9 093En existencias	Cinta cortada ₡265,44 ₡120,75 ₡105,13 ₡83,79 Envase tipo carrete ₡68,70 Ver ₡83,27 ₡65,58 ₡61,94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS SSM3J351R,LF Toshiba 1: ₡327,89 190 719En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J351R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	190 719En existencias	Cinta cortada ₡327,89 ₡147,81 ₡130,12 ₡98,37 Envase tipo carrete ₡71,82 Ver ₡67,66 ₡61,94 ₡57,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	60 V	3.5 A	164 mOhms	- 20 V, 10 V	800 mV	15.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF SSM3K56FS,LF Toshiba 1: ₡202,98 58 063En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K56FS,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K56FSLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	58 063En existencias	Cinta cortada ₡202,98 ₡89,52 ₡78,07 ₡58,29 Envase tipo carrete ₡42,68 Ver ₡41,12 ₡36,43 ₡32,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-416-3	N-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	235 mOhms	8 V	400 mV	1 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V SSM3J132TU,LF Toshiba 1: ₡458,01 11 734En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J132TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J132TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	11 734En existencias	Cinta cortada ₡458,01 ₡209,75 ₡185,29 ₡141,57 Envase tipo carrete ₡109,30 Ver ₡95,77 ₡92,64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	12 V	5.4 A	14 mOhms	6 V	1 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel SSM3J133TU,LF Toshiba 1: ₡343,51 15 579En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J133TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J133TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	15 579En existencias	Cinta cortada ₡343,51 ₡155,10 ₡136,36 ₡103,05 Envase tipo carrete ₡78,59 Ver ₡68,18 ₡63,50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UFM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	5.5 A	24.9 mOhms	8 V	1 V	12.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V SSM3J168F,LF Toshiba 1: ₡452,80 24 945En existencias 36 000Se espera el 28/9/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J168F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J168FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	24 945En existencias 36 000Se espera el 28/9/2026	Cinta cortada ₡452,80 ₡316,96 ₡200,38 ₡123,87 Envase tipo carrete ₡81,19 Ver ₡91,08 ₡70,26 ₡61,41 ₡49,96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	60 V	400 mA	1.3 Ohms	- 20 V, 10 V	2 V	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC SSM3J325F,LF Toshiba 1: ₡202,98 50 703En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J325F,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J325FLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	50 703En existencias	Cinta cortada ₡202,98 ₡89,52 ₡78,59 ₡58,29 Envase tipo carrete ₡43,20 Ver ₡36,43 ₡31,75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-346-3	P-Channel	1 Channel	20 V	2 A	311 mOhms	8 V	1 V	4.6 nC	- 55 C	+ 150 C	600 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF SSM3J331R,LF Toshiba 1: ₡223,80 56 059En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J331R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J331RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	56 059En existencias	Cinta cortada ₡223,80 ₡97,85 ₡85,88 ₡64,02 Envase tipo carrete ₡47,36 Ver ₡40,60 ₡35,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	P-Channel	1 Channel	20 V	4 A	150 mOhms	8 V	1 V	10.4 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS SSM3J332R,LF Toshiba 1: ₡223,80 29 344En existencias 87 000Se espera el 5/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J332R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J332RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	29 344En existencias 87 000Se espera el 5/10/2026	Cinta cortada ₡223,80 ₡135,84 ₡85,88 ₡64,02 Envase tipo carrete ₡47,36 Ver ₡56,73 ₡42,68 ₡35,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si			P-Channel	1 Channel												U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET SSM3J351R,LXHF Toshiba 1: ₡338,30 105 060En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J351R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba automotive ssmx mosfets	Hoja de datos	105 060En existencias	Cinta cortada ₡338,30 ₡152,50 ₡133,76 ₡100,97 Envase tipo carrete ₡77,03 Ver ₡66,62 ₡61,94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	60 V	3.5 A	164 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	15.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID SSM3J372R,LF Toshiba 1: ₡213,39 173 726En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J372R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J372RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	173 726En existencias	Cinta cortada ₡213,39 ₡131,16 ₡99,41 ₡73,91 Envase tipo carrete ₡53,61 Ver ₡65,58 ₡51,53 ₡45,80 ₡35,91 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	30 V	6 A	42 mOhms	- 12 V, 6 V	1.2 V	8.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET SSM3J56MFV,L3F Toshiba 1: ₡223,80 205 888En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J56MFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J56MFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	205 888En existencias	Cinta cortada ₡223,80 ₡97,85 ₡85,88 ₡83,27 Envase tipo carrete ₡48,40 Ver ₡72,87 ₡65,58 ₡54,65 ₡37,99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8 000	Si	SMD/SMT	SOT-723-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	390 mOhms	8 V	300 mV	1.6 nC		+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V SSM3K345R,LF Toshiba 1: ₡260,23 37 110En existencias 12 000Se espera el 21/9/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K345R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K345RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	37 110En existencias 12 000Se espera el 21/9/2026	Cinta cortada ₡260,23 ₡115,54 ₡100,97 ₡75,99 Envase tipo carrete ₡55,17 Ver ₡75,47 ₡51,53 ₡45,80 ₡41,12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	20 V	4 A	25 mOhms	8 V	400 mV	3.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V SSM3K56ACT,L3F Toshiba 1: ₡312,28 112 221En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K56ACT,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K56ACTL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	112 221En existencias	Cinta cortada ₡312,28 ₡217,55 ₡137,40 ₡86,40 Envase tipo carrete ₡49,96 Ver ₡75,47 ₡66,10 ₡56,21 ₡37,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 10 000	Si	SMD/SMT	CST3-3	N-Channel	1 Channel	20 V	1.4 A	840 mOhms	8 V	400 mV	1 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement		U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V SSM6J501NU,LF Toshiba 1: ₡364,33 89 373En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J501NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J501NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	89 373En existencias	Cinta cortada ₡364,33 ₡164,99 ₡145,21 ₡109,82 Envase tipo carrete ₡83,79 Ver ₡72,87 ₡68,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	20 V	10 A	15.3 mOhms	8 V	300 mV	29.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF SSM6J505NU,LF Toshiba 1: ₡452,80 26 581En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J505NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J505NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	26 581En existencias	Cinta cortada ₡452,80 ₡207,67 ₡183,20 ₡140,01 Envase tipo carrete ₡114,50 Ver ₡110,86 ₡99,93 ₡96,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si			P-Channel	1 Channel												U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS SSM6N57NU,LF Toshiba 1: ₡385,14 14 188En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N57NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N57NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	14 188En existencias	Cinta cortada ₡385,14 ₡174,88 ₡153,54 ₡116,58 Envase tipo carrete ₡89,00 Ver ₡77,03 ₡70,26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si			N-Channel	2 Channel												U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package SSM6P69NU,LF Toshiba 1: ₡405,96 18 064En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6P69NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6P69NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	18 064En existencias	Cinta cortada ₡405,96 ₡183,72 ₡161,86 ₡123,35 Envase tipo carrete ₡94,72 Ver ₡121,27 ₡93,16 ₡82,23 ₡77,55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	2 Channel	20 V	4 A	157 mOhms	- 12 V, 6 V	1.2 V	6.74 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel