OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low RDS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications 3 399En existencias
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Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V 795En existencias
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 166 A 2.36 mOhms 16 V 1.8 V\ 43 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V 766En existencias
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 125 A 3.26 mOhms 16 V 1.8 V 27 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V 599En existencias
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 5.54 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility 1 976En existencias
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Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.4 mOhms 20 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility 1 984En existencias
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Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 184 A 1.53 mOhms 20 V 3 V 41 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility 1 984En existencias
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Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 147 A 1.95 mOhms 20 V 3 V 30 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility 1 984En existencias
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Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.67 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility 1 992En existencias
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Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 91 A 3.65 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility 1 912En existencias
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Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 4.7 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 319En existencias
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Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 905 A 0.29 mOhms 20 V 3 V 268 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 339En existencias
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Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 605 A 0.38 mOhms 20 V 3 V 159 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 350En existencias
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Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 517 A 0.44 mOhms 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 12 599En existencias
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₡2 029,82
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Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 770 uOhms 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 7 370En existencias
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 5 879En existencias
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 2 889En existencias
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₡1 004,50
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 65 A 5.04 mOhms 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 10 000En existencias
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₡1 426,08
₡713,04
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₡510,58
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₡414,29
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Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 5 778En existencias
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₡1 004,50
₡478,83
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₡270,12
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: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 4 768En existencias
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₡1 046,14
₡500,69
₡447,60
₡379,94
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₡289,38
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: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology 45 735En existencias
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₡718,24
₡335,18
₡297,19
₡231,09
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₡167,59
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OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 4 993En existencias
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₡754,67
₡353,40
₡314,36
₡245,14
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₡183,72
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: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 97 A 3.25 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology 10 092En existencias
68Se espera el 18/11/2026
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₡676,61
₡315,92
₡280,53
₡218,08
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₡167,59
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OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 927En existencias
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₡1 119,00
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₡483,51
₡384,10
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₡319,05
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: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor 878En existencias
5 000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
₡926,43
₡441,35
₡393,99
₡310,20
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₡246,18
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: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape