Automotive Power Devices

Renesas Electronics Automotive Power Devices are equipped with built-in peripheral and protection functions. The Renesas Electronics devices are designed for system reliability enhancement and unit downsizing. The devices offer a comprehensive range of intelligent power switches, thermal FETs, MOSFET drivers, and motor drivers. Renesas power devices achieve low on-resistance specifications thanks to ultra-fine technologies like the groundbreaking 0.25um ANL3 process and innovative multi-bonding mount technology.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 3.3mohm SON-8 5x6
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 50A 4.8mohm SON-8 5x6
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK
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1 700En existencias
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 90A 3.85mohm TO-252 / DPAK
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.5mohm TO-263 / D2PAK
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861En existencias
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -30V -75A 6.2mohm SON-8 5x6
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 90A 2.8mohm TO-252 / DPAK
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2 032En existencias
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