Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB27EP/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 30 V 8.8 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220
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2 129Se espera el 11/1/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN40SNA/SOT457/SC-74
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138 000Se espera el 30/7/2027
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Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.7 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 117 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4 nC - 55 C + 175 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D60-30/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D22-30E/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7D36-60E/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB85ENEA/SOT1220/SOT1220
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8 820En existencias
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.4 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV13XNEA/SOT23/TO-236AB
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15 000Se espera el 22/1/2027
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Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 30 A 25 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 8.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D38-20P/SOT1220/SOT1220
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6 000Se espera el 11/1/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB50XN/SOT1220-2/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020M-6 N-Channel 1 Channel 110 V 9.9 A 70 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 2.6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D210-60E/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 210 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB14XN/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 11.5 A 18 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 19.4 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK4D110-20P/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6.7 A 110 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.7 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.4 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D230-80E/SOT1220/SOT1220
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2 734En existencias
6 000Se espera el 11/1/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 5.1 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D385-100E/SOT1220/SOT1220
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8 966En existencias
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.7 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D56-60E/SOT1220/SOT1220
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9 000Se espera el 11/1/2027
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Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 11 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D72-30E/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D77-60E/SOT1220/SOT1220
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6D81-80E/SOT1220/SOT1220
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3 000Se espera el 5/10/2026
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Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 9.8 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel