Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Resultados: 34
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
1 182En existencias
3 000Se espera el 6/11/2026
Cinta cortada
₡634,97
₡395,03
₡259,71
Envase tipo carrete
₡259,71
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
1 170En existencias
Cinta cortada
₡1 889,29
₡1 228,30
₡863,97
₡723,45
₡671,40
Envase tipo carrete
₡629,76
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 7.8 mOhms 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
37En existencias
13 500En pedido
Cinta cortada
₡1 379,23
₡884,79
₡603,74
Envase tipo carrete
₡603,74
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.6 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
37En existencias
6 000Se espera el 5/4/2027
Cinta cortada
₡1 639,47
₡1 061,75
₡733,86
₡614,15
₡567,31
Envase tipo carrete
₡567,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
24En existencias
9 000En pedido
Cinta cortada
₡2 035,02
₡1 327,19
₡962,86
₡806,72
₡749,47
Envase tipo carrete
₡749,47
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
2 661En existencias
Cinta cortada
₡2 185,95
₡1 431,28
₡1 066,95
Envase tipo carrete
₡1 066,95
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 384 A 600 uOhms 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
Hoja de datos
2 852En existencias
5 000Se espera el 4/6/2027
Cinta cortada
₡1 623,85
₡1 046,14
₡718,24
₡582,92
Envase tipo carrete
₡582,92
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 5 000
Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 310 A 580 uOhms - 12 V, 16 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2
Hoja de datos
2 780En existencias
Cinta cortada
₡1 696,72
₡1 098,18
₡754,67
Envase tipo carrete
₡754,67
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3 000
Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
6 653En existencias
4 500Se espera el 12/3/2027
Cinta cortada
₡1 103,39
₡692,22
₡457,49
Envase tipo carrete
₡457,49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 94 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 950En existencias
Cinta cortada
₡1 696,72
₡1 098,18
₡759,88
₡629,76
₡588,13
Envase tipo carrete
₡551,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 17 mOhms 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡1 582,21
₡1 020,11
₡697,42
₡567,31
Envase tipo carrete
₡510,06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 25 mOhms 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
28 804En existencias
Cinta cortada
₡2 009,00
₡1 306,37
₡916,02
₡765,08
₡713,04
Envase tipo carrete
₡671,40
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 1 Channel 80 V 156 A 2.55 mOhms 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1 870En existencias
Cinta cortada
₡582,92
₡362,76
₡238,37
Envase tipo carrete
₡238,37
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
1 444En existencias
Cinta cortada
₡1 181,46
₡749,47
₡505,89
Envase tipo carrete
₡505,89
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 178 A 1.43 mOhms 20 V 3.5 V 35.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1 425En existencias
1 500Se espera el 18/12/2026
Cinta cortada
₡999,29
₡624,56
₡413,25
Envase tipo carrete
₡413,25
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
841En existencias
13 500En pedido
Cinta cortada
₡1 514,55
₡973,27
₡666,20
Envase tipo carrete
₡666,20
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms 20 V 3.5 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
2 931En existencias
1 500Se espera el 8/1/2027
Cinta cortada
₡936,84
₡577,72
₡382,54
Envase tipo carrete
₡382,54
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1 500
Si SMD/SMT WDFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 196En existencias
Cinta cortada
₡2 248,41
₡1 472,92
₡1 098,18
₡921,22
₡853,56
Envase tipo carrete
₡801,52
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 132 A 4.3 mOhms 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 405En existencias
Cinta cortada
₡1 519,76
₡978,47
₡671,40
₡546,49
Envase tipo carrete
₡489,76
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 38 mOhms 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE
Hoja de datos
1 862En existencias
Cinta cortada
₡1 566,60
₡1 009,70
₡692,22
₡562,10
Envase tipo carrete
₡505,37
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
3 836En existencias
Cinta cortada
₡1 264,73
₡801,52
₡541,28
₡439,27
₡393,47
Envase tipo carrete
₡367,97
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 71 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Hoja de datos
5 782En existencias
Cinta cortada
₡2 461,80
₡1 608,24
₡1 202,28
₡1 004,50
₡931,63
Envase tipo carrete
₡874,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TCPAK57 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.49 mOhms 20 V 2 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
2 464En existencias
Cinta cortada
₡556,90
₡344,55
₡226,40
₡178,00
Envase tipo carrete
₡137,92
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 67 mOhms 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF
Hoja de datos
627En existencias
4 500Se espera el 11/12/2026
Cinta cortada
₡1 243,91
₡791,11
₡530,87
₡432,51
₡387,75
Envase tipo carrete
₡362,24
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 500
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 28 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
907En existencias
Cinta cortada
₡962,86
₡603,74
₡398,68
₡315,92
Envase tipo carrete
₡256,59
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape