Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Resultados: 34
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
1 182En existencias
3 000Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
₡640,17
₡331,02
₡260,23
₡204,54
₡176,44
Envase tipo carrete
₡134,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
1 170En existencias
Cinta cortada
₡1 889,29
₡1 228,30
₡863,97
₡723,45
₡671,40
Envase tipo carrete
₡629,76
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 7.8 mOhms 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
14En existencias
6 000Se espera el 19/1/2027
Cinta cortada
₡1 639,47
₡1 061,75
₡733,86
₡614,15
₡567,31
Envase tipo carrete
₡567,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
11 639En existencias
Cinta cortada
₡1 384,44
₡890,00
₡608,94
₡512,66
Envase tipo carrete
₡429,38
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.6 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
2 661En existencias
Cinta cortada
₡2 165,14
₡1 103,39
₡1 072,16
₡900,41
Envase tipo carrete
₡780,70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 384 A 600 uOhms 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
Hoja de datos
2 852En existencias
5 000Se espera el 4/6/2027
Cinta cortada
₡1 629,06
₡942,04
₡723,45
₡588,13
₡582,92
Envase tipo carrete
₡506,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 310 A 580 uOhms - 12 V, 16 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2
Hoja de datos
2 650En existencias
Cinta cortada
₡1 696,72
₡1 098,18
₡754,67
₡629,76
₡588,13
Envase tipo carrete
₡551,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
6 654En existencias
4 500Se espera el 12/3/2027
Cinta cortada
₡1 108,59
₡697,42
₡458,01
₡363,28
Envase tipo carrete
₡295,10
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 94 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 950En existencias
Cinta cortada
₡1 696,72
₡1 098,18
₡759,88
₡629,76
₡588,13
Envase tipo carrete
₡551,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 17 mOhms 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡1 587,42
₡1 025,32
₡702,63
₡572,51
Envase tipo carrete
₡510,58
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 25 mOhms 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
28 804En existencias
Cinta cortada
₡1 936,13
₡978,47
₡884,79
₡718,24
₡666,20
Envase tipo carrete
₡666,20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 1 Channel 80 V 156 A 2.55 mOhms 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1 870En existencias
Cinta cortada
₡582,92
₡362,76
₡238,37
₡187,37
Envase tipo carrete
₡145,21
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
1 499En existencias
1 500Se espera el 23/2/2027
Cinta cortada
₡1 181,46
₡749,47
₡505,89
₡410,13
Envase tipo carrete
₡343,51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 178 A 1.43 mOhms 20 V 3.5 V 35.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1 425En existencias
1 500Se espera el 18/12/2026
Cinta cortada
₡1 004,50
₡629,76
₡413,77
₡327,89
₡291,46
Envase tipo carrete
₡246,70
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
825En existencias
13 500En pedido
Cinta cortada
₡1 519,76
₡978,47
₡671,40
₡551,69
₡506,41
Envase tipo carrete
₡506,41
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms 20 V 3.5 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE
Hoja de datos
2 931En existencias
1 500Se espera el 8/1/2027
Cinta cortada
₡785,90
₡370,57
₡329,98
₡258,15
₡202,46
Envase tipo carrete
₡193,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 196En existencias
Cinta cortada
₡2 211,98
₡1 129,41
₡1 020,11
₡858,77
Envase tipo carrete
₡796,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 132 A 4.3 mOhms 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
Hoja de datos
2 405En existencias
Cinta cortada
₡1 509,35
₡744,27
₡671,40
₡541,28
₡525,67
Envase tipo carrete
₡474,14
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 38 mOhms 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE
Hoja de datos
1 862En existencias
Cinta cortada
₡1 566,60
₡1 009,70
₡692,22
₡562,10
Envase tipo carrete
₡505,37
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
2 207En existencias
1 500Se espera el 1/11/2027
Cinta cortada
₡2 253,62
₡1 472,92
₡1 098,18
₡921,22
₡858,77
Envase tipo carrete
₡796,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Hoja de datos
3 307En existencias
Cinta cortada
₡1 207,48
₡588,13
₡525,67
₡439,79
Envase tipo carrete
₡367,97
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 71 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Hoja de datos
5 669En existencias
Cinta cortada
₡2 461,80
₡1 608,24
₡1 202,28
₡1 004,50
₡931,63
Envase tipo carrete
₡874,38
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TCPAK57 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.49 mOhms 20 V 2 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
2 444En existencias
Cinta cortada
₡556,90
₡344,55
₡226,40
₡178,00
Envase tipo carrete
₡137,92
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 67 mOhms 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF
Hoja de datos
486En existencias
4 500Se espera el 11/12/2026
Cinta cortada
₡1 243,91
₡791,11
₡530,87
₡432,51
Envase tipo carrete
₡362,24
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 28 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
907En existencias
Cinta cortada
₡916,02
₡434,59
₡387,75
₡305,51
₡240,46
Envase tipo carrete
₡238,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape