OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package. 

Resultados: 60
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5
Hoja de datos
1 842En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 80 V 410 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
1 661En existencias
20 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
16 036En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
9 765En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
7 581En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
3 459En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
2 158En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16-2 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
1 547En existencias
1 800Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
821En existencias
4 000Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 220 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 81 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
524En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
91En existencias
25 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 24 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
803En existencias
5 000Se espera el 21/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
274En existencias
15 000Se espera el 14/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
18En existencias
4 000Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 350 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 138 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
3 737En existencias
5 000Se espera el 7/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
2 395En existencias
5 000Se espera el 15/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
46En existencias
9 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
23 907En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
45 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
10 000Se espera el 12/11/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 28 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
Hoja de datos
5 000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
3 818Se espera el 22/7/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel