TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Resultados: 168
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
Hoja de datos
8 603En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
38 411En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 100V 55.9A N CHAN
Hoja de datos
9 904En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 55.9 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
5 675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S N-Channel 1 Channel 30 V 478 A 570 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
19 156En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 80 V 62 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
Hoja de datos
40 188En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7 A 82.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.3 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
16 688En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.95 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 390 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
47 873En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 275 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
Hoja de datos
2 545En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 17 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 8.4 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 228En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
5 950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Powerpack-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
5 678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
1 822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 136 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
Hoja de datos
3 938En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40.7 A 14.9 mOhms 10.6 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
6 749En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 37.1 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 21.8 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
11 453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66.8 A 7.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V
Hoja de datos
5 867En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 940 uOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 1.5 mohm a. 10V, 2.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
5 668En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK - SO-8S P-Channel 1 Channel 30 V 227 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 365 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
9 356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 54 A 8.9 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
8 888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 34.4 A 14 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 27.2 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
11 928En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.5 V 46.7 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
12 287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 55.9 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
2 439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6 000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S P-Channel 1 Channel 60 V 36.2 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 21.8 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
11 280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66.4 A 7.45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.6 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape