GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1:
₡2 638,76
637 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
637 En existencias
1
₡2 638,76
10
₡1 884,08
100
₡1 415,67
500
₡1 363,62
1 000
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3 000
₡978,47
1 000
₡1 155,43
3 000
₡978,47
9 000
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
LEO1N5822AF
STMicroelectronics
1:
₡7 182,42
283 En existencias
500 Se espera el 14/8/2026
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N.º de artículo de Mouser
511-LEO1N5822AF
Nuevo producto
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
283 En existencias
500 Se espera el 14/8/2026
1
₡7 182,42
10
₡5 470,09
100
₡4 559,28
500
₡3 872,26
1 000
₡3 794,19
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500
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SOD-128-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
1:
₡3 679,69
438 En existencias
600 Se espera el 8/9/2026
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N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
438 En existencias
600 Se espera el 8/9/2026
1
₡3 679,69
10
₡2 461,80
100
₡1 977,77
600
₡1 759,17
1 200
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₡1 446,89
3 000
₡1 431,28
5 400
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 399,35
2 389 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 389 En existencias
1
₡2 399,35
10
₡1 582,21
100
₡1 119,00
500
₡957,66
2 500
₡780,70
5 000
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5 000
₡775,49
10 000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
+1 imagen
STTH25M06B-TR
STMicroelectronics
1:
₡921,22
46 525 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STTH25M06B-TR
STMicroelectronics
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
46 525 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡921,22
10
₡556,90
100
₡411,17
500
₡341,43
2 500
₡256,59
5 000
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1 000
₡303,43
5 000
₡248,78
25 000
₡239,93
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2 500
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
1:
₡2 638,76
526 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
526 En existencias
1
₡2 638,76
10
₡2 159,93
100
₡1 868,47
600
₡1 644,67
1 200
₡1 509,35
2 400
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2 400
₡1 467,71
24 600
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SCRs
SMD/SMT
HUPAK-9
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
1:
₡23 405,33
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
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IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
360°
+6 imágenes
STPSC40G12WL
STMicroelectronics
1:
₡7 963,12
533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC40G12WL
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
533 En existencias
1
₡7 963,12
10
₡6 058,22
100
₡5 038,11
600
₡4 491,62
1 200
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1 200
₡3 825,42
3 000
Presupuesto
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Detalles
SiC Schottky Diodes
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
₡10 617,49
174 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
174 En existencias
1
₡10 617,49
10
₡7 583,18
100
₡5 532,55
200
₡5 532,55
400
₡5 527,34
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Carrete :
200
Detalles
MOSFETs
Si
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
SM50T39AY
STMicroelectronics
1:
₡837,95
2 364 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SM50T39AY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
2 364 En existencias
1
₡837,95
10
₡556,90
100
₡464,26
500
₡446,04
2 500
₡388,27
5 000
Ver
1 000
₡417,93
5 000
₡375,26
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Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
1:
₡6 495,41
571 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
571 En existencias
1
₡6 495,41
10
₡3 893,08
100
₡3 091,56
600
₡2 893,79
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Detalles
SiC Schottky Diodes
Through Hole
DO-247-2
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
1:
₡608,94
9 415 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
9 415 En existencias
1
₡608,94
10
₡397,12
100
₡288,34
500
₡230,57
2 500
₡180,08
5 000
Ver
1 000
₡208,71
5 000
₡166,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1:
₡510,06
5 567 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5 567 En existencias
1
₡510,06
10
₡334,66
100
₡251,91
500
₡210,27
6 000
₡164,99
12 000
Ver
1 000
₡185,81
2 500
₡184,24
12 000
₡148,85
24 000
₡142,09
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6 000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
₡9 691,07
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
500 En existencias
1
₡9 691,07
10
₡6 042,60
120
₡5 345,18
510
₡4 944,42
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
TN1605H-8G-TR
STMicroelectronics
1:
₡1 113,80
3 994 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-TN1605H-8G-TR
STMicroelectronics
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
3 994 En existencias
1
₡1 113,80
10
₡713,04
100
₡480,39
500
₡381,50
1 000
₡340,90
2 000
Ver
2 000
₡291,98
10 000
₡288,86
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
SCRs
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
₡9 113,35
1 332 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1 332 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡9 113,35
10
₡6 063,42
100
₡5 693,89
400
₡5 688,69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
₡791,11
41 533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41 533 En existencias
1
₡791,11
10
₡499,65
100
₡331,54
500
₡259,71
3 000
₡180,60
6 000
Ver
1 000
₡236,29
6 000
₡179,56
9 000
₡175,92
24 000
₡172,79
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
1:
₡2 139,11
11 068 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11 068 En existencias
1
₡2 139,11
10
₡1 212,68
100
₡962,86
600
₡848,36
1 200
Ver
1 200
₡692,22
2 700
₡687,01
5 100
₡666,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
STMicroelectronics
1:
₡765,08
47 393 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SM15T39CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
47 393 En existencias
1
₡765,08
10
₡551,69
100
₡380,98
500
₡301,87
2 500
₡243,06
5 000
Ver
1 000
₡272,72
5 000
₡229,00
10 000
₡220,68
25 000
₡215,47
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
SMC (DO-214AB)
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
STMicroelectronics
1:
₡15 863,79
760 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
STMicroelectronics
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
760 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 556,19
19 971 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
19 971 En existencias
1
₡1 556,19
10
₡1 009,70
100
₡697,42
500
₡562,10
3 000
₡452,28
6 000
Ver
1 000
₡530,87
6 000
₡446,56
9 000
₡443,44
24 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
₡785,90
38 160 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38 160 En existencias
1
₡785,90
10
₡439,27
100
₡310,20
500
₡257,11
3 000
₡214,43
9 000
Ver
1 000
₡237,33
9 000
₡206,62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
STMicroelectronics
1:
₡3 924,31
4 669 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4 669 En existencias
1
₡3 924,31
10
₡2 321,28
100
₡2 180,75
500
₡1 956,95
1 000
Ver
1 000
₡1 863,27
5 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SF
STMicroelectronics
1:
₡322,69
11 061 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STPST5H100SF
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
11 061 En existencias
1
₡322,69
10
₡246,18
100
₡176,96
500
₡151,98
6 000
₡110,86
12 000
Ver
1 000
₡134,28
2 500
₡133,76
12 000
₡108,78
24 000
₡104,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6 000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
₡8 098,44
1 538 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1 538 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡8 098,44
10
₡5 730,32
100
₡5 303,54
400
₡5 298,34
1 200
Ver
1 200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4