GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1:
₡2 638,76
637 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
637 En existencias
1
₡2 638,76
10
₡1 884,08
100
₡1 415,67
500
₡1 363,62
1 000
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3 000
₡978,47
1 000
₡1 155,43
3 000
₡978,47
9 000
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3 000
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
1:
₡3 679,69
438 En existencias
600 Se espera el 8/9/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
438 En existencias
600 Se espera el 8/9/2026
1
₡3 679,69
10
₡2 461,80
100
₡1 977,77
600
₡1 759,17
1 200
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1 200
₡1 446,89
3 000
₡1 431,28
5 400
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
₡2 399,35
2 389 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2 389 En existencias
1
₡2 399,35
10
₡1 582,21
100
₡1 119,00
500
₡957,66
2 500
₡780,70
5 000
Ver
5 000
₡775,49
10 000
Presupuesto
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2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
1:
₡23 405,33
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
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IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
₡10 617,49
174 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
174 En existencias
1
₡10 617,49
10
₡7 583,18
100
₡5 532,55
200
₡5 532,55
400
₡5 527,34
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Mult.: 1
Carrete :
200
Detalles
MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
₡9 691,07
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
500 En existencias
1
₡9 691,07
10
₡6 042,60
120
₡5 345,18
510
₡4 944,42
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
₡9 113,35
1 342 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1 342 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡9 113,35
10
₡6 063,42
100
₡5 693,89
400
₡5 688,69
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
₡791,11
41 533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41 533 En existencias
1
₡791,11
10
₡499,65
100
₡331,54
500
₡259,71
3 000
₡180,60
6 000
Ver
1 000
₡236,29
6 000
₡179,56
9 000
₡175,92
24 000
₡172,79
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
1:
₡2 139,11
11 074 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11 074 En existencias
1
₡2 139,11
10
₡1 124,21
100
₡869,18
600
₡843,15
1 200
₡692,22
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
STMicroelectronics
1:
₡15 863,79
760 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
STMicroelectronics
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
760 En existencias
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Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
₡1 556,19
19 971 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
19 971 En existencias
1
₡1 556,19
10
₡1 009,70
100
₡697,42
500
₡562,10
3 000
₡452,28
6 000
Ver
1 000
₡530,87
6 000
₡446,56
9 000
₡443,44
24 000
Presupuesto
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
₡785,90
38 190 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38 190 En existencias
1
₡785,90
10
₡439,27
100
₡310,20
500
₡257,11
3 000
₡214,43
9 000
Ver
1 000
₡237,33
9 000
₡206,62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
STMicroelectronics
1:
₡3 924,31
4 669 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4 669 En existencias
1
₡3 924,31
10
₡2 321,28
100
₡2 180,75
500
₡1 956,95
1 000
Ver
1 000
₡1 863,27
5 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
₡8 098,44
1 540 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1 540 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡8 098,44
10
₡5 730,32
100
₡5 303,54
400
₡5 298,34
1 200
Ver
1 200
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
STMicroelectronics
1:
₡4 449,98
3 649 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3 649 En existencias
1
₡4 449,98
10
₡3 200,86
100
₡2 893,79
500
₡2 888,58
1 000
₡2 737,65
3 000
₡2 498,23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
STMicroelectronics
1:
₡5 907,28
5 874 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
5 874 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡5 907,28
10
₡4 111,68
100
₡3 788,99
400
₡3 752,56
1 200
Ver
1 200
₡3 736,94
10 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
₡6 448,57
2 439 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2 439 En existencias
1
₡6 448,57
10
₡4 319,86
100
₡3 726,53
500
₡3 658,87
1 000
₡3 101,97
3 000
₡3 044,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL7LN80K5
STMicroelectronics
1:
₡1 535,37
2 355 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL7LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
2 355 En existencias
1
₡1 535,37
10
₡994,09
100
₡681,81
500
₡551,69
1 000
₡515,78
3 000
₡472,06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
₡1 774,79
2 383 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
2 383 En existencias
1
₡1 774,79
10
₡1 150,23
100
₡796,31
500
₡666,20
1 000
₡629,76
2 500
₡577,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015S-E
STMicroelectronics
1:
₡13 230,23
228 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
228 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡13 230,23
10
₡10 591,47
100
₡9 160,19
400
₡8 566,86
1 200
Ver
1 200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Straight-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
STMicroelectronics
1:
₡3 075,95
840 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
840 En existencias
1
₡3 075,95
10
₡2 014,20
100
₡1 504,15
500
₡1 259,53
1 000
₡1 139,82
2 000
Ver
2 000
₡1 098,18
5 000
₡1 092,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
STGWA35IH135DF2
STMicroelectronics
1:
₡1 930,93
487 En existencias
600 Se espera el 11/6/2027
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA35IH135DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
487 En existencias
600 Se espera el 11/6/2027
1
₡1 930,93
10
₡1 316,78
120
₡1 134,61
510
₡1 103,39
1 020
Ver
1 020
₡1 072,16
2 520
₡1 040,93
5 010
₡1 020,11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
STP80N600K6
STMicroelectronics
1:
₡1 712,33
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP80N600K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
708 En existencias
1
₡1 712,33
10
₡890,00
100
₡765,08
500
₡619,35
1 000
Ver
1 000
₡530,87
5 000
₡492,36
10 000
₡491,32
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
BD437
STMicroelectronics
1:
₡697,42
7 096 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BD437
N.º de artículo de Mouser
511-BD437
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
7 096 En existencias
1
₡697,42
10
₡326,85
100
₡290,42
500
₡225,88
1 000
Ver
1 000
₡200,38
2 000
₡179,56
4 000
₡177,48
12 000
₡154,58
24 000
₡150,93
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
SOT-32-3
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
BUL38D
STMicroelectronics
1:
₡1 035,73
3 259 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUL38D
N.º de artículo de Mouser
511-BUL38D
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
3 259 En existencias
1
₡1 035,73
10
₡417,93
100
₡380,98
500
₡315,40
1 000
Ver
1 000
₡255,55
10 000
₡252,95
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN