.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET STWA60N028T STMicroelectronics 1: ₡3 679,69 281En existencias 1 200Se espera el 29/1/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante STWA60N028T N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET	Hoja de datos	281En existencias 1 200Se espera el 29/1/2027	₡3 679,69 ₡2 461,80	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS PD55008-E STMicroelectronics 1: ₡9 030,07 1 302En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD55008-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS	Hoja de datos	1 302En existencias	₡9 030,07 ₡6 490,20 ₡6 021,78	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET STW65N023M9-4 STMicroelectronics 1: ₡9 717,09 450En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW65N023M9-4 N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm mdmesh m9 power mosfets	Hoja de datos	450En existencias	₡9 717,09 ₡5 605,41 ₡5 600,21 ₡5 204,65	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor PD54008L-E STMicroelectronics 1: ₡4 449,98 3 425En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD54008L-E N.º de artículo de Mouser 511-PD54008L-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor	Hoja de datos	3 425En existencias	Cinta cortada ₡4 449,98 ₡3 206,07 ₡2 893,79 ₡2 737,65 Envase tipo carrete ₡2 737,65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT (5x5)	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD54008-E STMicroelectronics 1: ₡8 098,44 1 533En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD54008-E N.º de artículo de Mouser 511-PD54008-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	Hoja de datos	1 533En existencias	₡8 098,44 ₡5 730,32 ₡5 303,54 ₡5 298,34 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch PD57030-E STMicroelectronics 1: ₡25 955,61 490En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD57030-E N.º de artículo de Mouser 511-PD57030-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch	Hoja de datos	490En existencias	₡25 955,61 ₡19 428,97 ₡17 430,39 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Formed-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET STD80N340K6 STMicroelectronics 1: ₡2 399,35 2 338En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N340K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n240k6 mosfets	Hoja de datos	2 338En existencias	Cinta cortada ₡2 399,35 ₡1 233,50 ₡1 119,00 ₡957,66 Envase tipo carrete ₡900,41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor BU508AF STMicroelectronics 1: ₡2 139,11 10 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante BU508AF N.º de artículo de Mouser 511-BU508AF	STMicroelectronics	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	10 985En existencias	₡2 139,11 ₡1 233,50 ₡942,04 ₡817,13 Ver ₡687,01 ₡666,20	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	ISOWATT-218FX-3	NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa STE145N65M5 STMicroelectronics 1: ₡17 263,84 760En existencias	N.º de artículo del Fabricante STE145N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STE145N65M5	STMicroelectronics	Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	760En existencias	₡17 263,84 ₡12 418,30 ₡11 824,97	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFET Modules	Si	Screw Mount	ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STP20NM60FD STMicroelectronics 1: ₡4 137,70 4 296En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM60FD N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4 296En existencias	₡4 137,70 ₡2 467,01 ₡2 107,88 ₡1 899,70 ₡1 727,95	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor PD55015S-E STMicroelectronics 1: ₡13 230,23 228En existencias	N.º de artículo del Fabricante PD55015S-E N.º de artículo de Mouser 511-PD55015S-E	STMicroelectronics	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor	Hoja de datos	228En existencias	₡13 230,23 ₡10 591,47 ₡9 160,19 ₡8 572,07 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	RF MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerSO-10RF-Straight-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 STL210N4F7 STMicroelectronics 1: ₡1 342,80 2 603En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL210N4F7 N.º de artículo de Mouser 511-STL210N4F7	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6	Hoja de datos	2 603En existencias	Cinta cortada ₡1 342,80 ₡863,97 ₡588,13 ₡496,52 Envase tipo carrete ₡415,33 Ver ₡439,79 ₡399,72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	MOSFETs	Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH STL10LN80K5 STMicroelectronics 1: ₡2 243,21 3 053En existencias	N.º de artículo del Fabricante STL10LN80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STL10LN80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH	Hoja de datos	3 053En existencias	Cinta cortada ₡2 243,21 ₡1 342,80 ₡1 092,98 ₡916,02 Envase tipo carrete ₡869,18 Ver ₡874,38 ₡791,11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5x6-VHV-8	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET SH63N65DM6AG STMicroelectronics 1: ₡10 253,17 174En existencias	N.º de artículo del Fabricante SH63N65DM6AG N.º de artículo de Mouser 511-SH63N65DM6AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sh63n65dm6ag power mosfet	Hoja de datos	174En existencias	Cinta cortada ₡10 253,17 ₡7 812,19 ₡6 334,06 Envase tipo carrete ₡6 334,06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 200	MOSFETs	Si	SMD/SMT	ACEPACK SMIT-9	N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching BUL743 STMicroelectronics 1: ₡1 540,58 4 654En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUL743 N.º de artículo de Mouser 511-BUL743	STMicroelectronics	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	4 654En existencias	₡1 540,58 ₡895,20 ₡676,61 ₡551,69 Ver ₡447,60 ₡436,15	Min.: 1 Mult.: 1	BJTs - Bipolar Transistors	Si	Through Hole	TO-220-3	NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package STB28N60M2 STMicroelectronics 1: ₡1 452,10 1 832En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28N60M2 N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1 832En existencias	Cinta cortada ₡1 452,10 ₡718,24 ₡645,38 ₡517,86 Envase tipo carrete ₡458,53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V STB80N20M5 STMicroelectronics 1: ₡3 424,66 1 394En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB80N20M5 N.º de artículo de Mouser 511-STB80N20M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V	Hoja de datos	1 394En existencias	Cinta cortada ₡3 424,66 ₡1 816,42 ₡1 660,28 ₡1 571,81 Envase tipo carrete ₡1 457,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	MOSFETs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp STD35NF06LT4 STMicroelectronics 1: ₡1 181,46 22 269En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD35NF06LT4 N.º de artículo de Mouser 511-STD35NF06L	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp	Hoja de datos	22 269En existencias	Cinta cortada ₡1 181,46 ₡582,92 ₡507,45 ₡407,52 Envase tipo carrete ₡337,78 Ver ₡384,62 ₡320,61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte STD3N80K5 STMicroelectronics 1: ₡1 035,73 5 125En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD3N80K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD3N80K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	5 125En existencias	Cinta cortada ₡1 035,73 ₡496,00 ₡443,44 ₡351,31 Envase tipo carrete ₡304,99 Ver ₡333,62 ₡293,54 ₡286,26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A STD3NK80Z-1 STMicroelectronics 1: ₡1 488,53 3 399En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD3NK80Z-1 N.º de artículo de Mouser 511-STD3NK80Z-1	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A	Hoja de datos	3 399En existencias	₡1 488,53 ₡697,42 ₡629,76 ₡536,08 Ver ₡496,52 ₡469,46	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected STD5N95K5 STMicroelectronics 1: ₡1 342,80 3 778En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD5N95K5 N.º de artículo de Mouser 511-STD5N95K5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected Obtenga más información sobre STMicroelectronics supermesh mosfets	Hoja de datos	3 778En existencias	Cinta cortada ₡1 342,80 ₡660,99 ₡593,33 ₡472,58 ₡446,56 Envase tipo carrete ₡405,96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	MOSFETs	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR STF23NM50N STMicroelectronics 1: ₡3 362,21 Plazo de entrega 26 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STF23NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STF23NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	Plazo de entrega 26 Semanas	₡3 362,21 ₡1 998,59 ₡1 618,65 ₡1 400,05 ₡1 342,80	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT STGF7NB60SL STMicroelectronics 1: ₡1 280,34 2 872En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGF7NB60SL N.º de artículo de Mouser 511-STGF7NB60SL	STMicroelectronics	IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	2 872En existencias	₡1 280,34 ₡603,74 ₡484,03 ₡414,81 Ver ₡371,61 ₡352,36	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-220-3 FP
Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V, short-circuit rugged I STGIPQ8C60T-HZ STMicroelectronics 1: ₡4 470,80 563En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGIPQ8C60T-HZ N.º de artículo de Mouser 511-STGIPQ8C60T-HZ	STMicroelectronics	Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V, short-circuit rugged I Obtenga más información sobre STMicroelectronics sllimm nano ipm	Hoja de datos	563En existencias	₡4 470,80 ₡3 216,48 ₡2 768,88 ₡2 690,81 ₡2 685,60	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Modules	Si	Through Hole	N2DIP-26
IGBTs IGBT STGP7NC60HD STMicroelectronics 1: ₡1 150,23 3 159En existencias	N.º de artículo del Fabricante STGP7NC60HD N.º de artículo de Mouser 511-STGP7NC60HD	STMicroelectronics	IGBTs IGBT Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stgxx igbt	Hoja de datos	3 159En existencias	₡1 150,23 ₡556,90 ₡481,95 ₡382,54 Ver ₡339,86 ₡310,72 ₡298,75 ₡291,46	Min.: 1 Mult.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-220-3 FP