Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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BJTs - Bipolar Transistors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD4N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STF11NM80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
STF18NM80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
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MOSFETs
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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STGB6NC60HDT4
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D2PAK-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
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Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
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NDIP-26
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
360°
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STGW75H65DFB2-4
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IGBTs
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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STGW75M65DF2
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N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
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