Transistores

Resultados: 1 878
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 174En existencias
Cinta cortada
₡10 263,58
₡7 947,51
₡6 245,58
Envase tipo carrete
₡6 245,58
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: 200
MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1 523En existencias
₡8 098,44
₡5 730,32
₡5 303,54
₡5 298,34
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RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 480En existencias
₡22 853,64
₡19 428,97
₡18 825,23
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RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 3 301En existencias
Cinta cortada
₡4 449,98
₡3 206,07
₡2 893,79
₡2 737,65
Envase tipo carrete
₡2 701,22
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: 3 000
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor 10 607En existencias
₡2 139,11
₡1 212,68
₡983,68
₡858,77
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 760En existencias
₡17 263,84
₡12 418,30
₡11 824,97
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH 37 915En existencias
Cinta cortada
₡1 061,75
₡515,78
₡450,20
₡359,64
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Envase tipo carrete
₡297,19
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: 4 000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 4 235En existencias
₡3 148,82
₡2 185,95
₡2 040,22
₡1 899,70
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2 335En existencias
Cinta cortada
₡2 399,35
₡1 233,50
₡1 119,00
₡957,66
Envase tipo carrete
₡895,20
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: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package 765En existencias
Cinta cortada
₡2 300,46
₡1 176,25
₡1 066,95
₡905,61
Envase tipo carrete
₡843,15
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: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK 1 388En existencias
Cinta cortada
₡1 811,22
₡910,81
₡822,34
₡666,20
Envase tipo carrete
₡608,94
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: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 9 390En existencias
Cinta cortada
₡900,41
₡466,86
₡383,58
₡302,91
Envase tipo carrete
₡262,31
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: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected 3 165En existencias
Cinta cortada
₡1 066,95
₡536,08
₡477,79
₡379,42
₡360,68
Envase tipo carrete
₡310,72
Min.: 1
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: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH 3 825En existencias
Cinta cortada
₡1 087,77
₡530,87
₡458,01
₡373,69
Envase tipo carrete
₡311,76
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: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 3 494En existencias
Cinta cortada
₡1 342,80
₡655,79
₡593,33
₡471,02
₡449,68
Envase tipo carrete
₡403,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 850En existencias
₡4 054,43
₡2 185,95
₡2 003,79
₡1 800,81
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh 1 001En existencias
1 000Se espera el 4/12/2026
₡4 715,42
₡2 539,87
₡2 336,89
₡2 113,09
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 3 063En existencias
₡1 150,23
₡733,86
₡491,84
₡398,68
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH TM IGBT 6 920En existencias
Cinta cortada
₡843,15
₡536,08
₡354,96
₡278,97
Envase tipo carrete
₡237,33
₡215,47
Min.: 1
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: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed 4 858En existencias
₡1 082,57
₡681,81
₡446,56
₡354,44
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IGBTs Si Through Hole
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT 466En existencias
₡4 746,64
₡2 654,37
₡2 321,28
₡2 123,50
Min.: 1
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT 596En existencias
₡3 429,87
₡1 982,97
₡1 524,96
₡1 316,78
₡1 295,96
Min.: 1
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IGBTs Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 591En existencias
₡3 575,60
₡2 300,46
₡2 118,29
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Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss 624En existencias
₡4 122,09
₡2 383,73
₡1 863,27
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 905En existencias
Cinta cortada
₡2 753,26
₡1 800,81
₡1 342,80
₡1 129,41
Envase tipo carrete
₡1 046,14
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel