Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER
NSVT5401MR6T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
24 731 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL308CH6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-BSL308CH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
67 682 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
BUK7K15-80EX
Nexperia
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771-BUK7K15-80EX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D
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Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
PIMC31,115
Nexperia
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Transistores digitales PIMC31/SOT457/SC-74
225 621 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
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₡78,07
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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171 134 En existencias
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78-SQ3989EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
171 134 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26 289 En existencias
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Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
1:
₡853,56
37 712 En existencias
N.º de artículo de Mouser
844-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
37 712 En existencias
Embalaje alternativo
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2 000
₡215,99
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2 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
NVTJD4001NT1G
onsemi
1:
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926 586 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVTJD4001NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET 30V 250MA 1.5OH
926 586 En existencias
Embalaje alternativo
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₡79,63
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3 000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
NCP51560BBDWR2G
onsemi
1:
₡1 967,36
1 220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NCP51560BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1 220 En existencias
1
₡1 967,36
10
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25
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₡1 155,43
1 000
₡1 092,98
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
₡791,11
41 533 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41 533 En existencias
1
₡791,11
10
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100
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Ver
1 000
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₡175,40
9 000
₡171,75
24 000
₡168,63
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
₡270,64
252 167 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
252 167 En existencias
1
₡270,64
10
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100
₡99,41
500
₡77,55
1 000
₡69,74
3 000
₡69,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 620
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 878,88
42 507 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
42 507 En existencias
1
₡1 878,88
10
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100
₡853,56
500
₡697,42
1 000
₡687,01
2 000
₡650,58
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
1:
₡1 441,69
42 668 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
42 668 En existencias
1
₡1 441,69
10
₡931,63
100
₡640,17
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₡512,14
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Ver
1 000
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9 000
₡375,26
24 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
1:
₡187,37
330 372 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
330 372 En existencias
1
₡187,37
10
₡82,75
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₡71,82
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₡61,94
1 000
₡55,69
3 000
₡55,69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1 380
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1:
₡260,23
357 948 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
357 948 En existencias
1
₡260,23
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3 000
₡44,24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 830
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡452,80
140 076 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
140 076 En existencias
1
₡452,80
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9 000
₡93,68
24 000
₡90,56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡624,56
110 353 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
110 353 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡624,56
10
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₡199,34
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₡156,66
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Ver
1 000
₡195,69
6 000
₡153,54
9 000
₡145,73
24 000
₡142,61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles