Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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NVMFD5877NLWFT1G-UM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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₡562,10
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100
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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₡284,17
100
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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1
₡1 634,26
10
₡1 504,15
25
₡1 363,62
100
₡1 285,55
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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1
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₡7 812,19
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
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603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2 997 En existencias
1
₡1 035,73
10
₡497,04
100
₡444,48
500
₡351,83
1 000
₡334,66
3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
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512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
42 666 En existencias
1
₡1 441,69
10
₡713,04
100
₡640,17
500
₡512,14
1 000
₡453,33
3 000
₡438,23
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
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621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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₡82,75
100
₡71,82
500
₡68,18
1 000
₡59,85
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
139 390 En existencias
1
₡452,80
10
₡206,10
100
₡181,64
500
₡138,96
3 000
₡107,22
9 000
₡94,20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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110 333 En existencias
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78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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1
₡624,56
10
₡290,42
100
₡257,63
500
₡199,34
1 000
₡195,69
3 000
₡156,66
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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₡1 301,16
31 278 En existencias
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78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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1
₡1 301,16
10
₡634,97
100
₡572,51
500
₡454,89
1 000
₡447,60
2 500
₡386,71
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡968,07
32 060 En existencias
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78-SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
32 060 En existencias
1
₡968,07
10
₡463,73
100
₡392,43
500
₡326,85
1 000
₡306,03
3 000
₡259,19
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 618,65
77 311 En existencias
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78-SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
77 311 En existencias
1
₡1 618,65
10
₡801,52
100
₡723,45
500
₡588,13
1 000
₡577,72
3 000
₡530,87
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Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
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₡585 299,77
44 En existencias
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755-BSM250D17P2E004
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
44 En existencias
1
₡585 299,77
4
₡585 299,77
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
PMD2001D,115
Nexperia
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184 970 En existencias
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771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
184 970 En existencias
1
₡265,44
10
₡162,91
100
₡103,05
500
₡77,55
3 000
₡57,77
6 000
Ver
1 000
₡69,22
6 000
₡52,57
9 000
₡45,28
24 000
₡42,16
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
PMP4201Y,135
Nexperia
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N.º de artículo de Mouser
771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
288 027 En existencias
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1
₡343,51
10
₡212,35
100
₡135,84
500
₡103,05
10 000
₡61,94
20 000
Ver
1 000
₡83,27
5 000
₡73,39
20 000
₡61,41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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110 643 En existencias
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78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110 643 En existencias
1
₡994,09
10
₡474,66
100
₡424,18
500
₡335,18
3 000
₡288,34
6 000
Ver
1 000
₡329,45
6 000
₡277,41
9 000
₡271,16
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Mult.: 1
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3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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301 520 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
301 520 En existencias
1
₡452,80
10
₡206,10
100
₡181,64
500
₡138,96
3 000
₡107,22
9 000
₡94,20
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Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 155,43
71 040 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71 040 En existencias
1
₡1 155,43
10
₡733,86
100
₡494,44
500
₡400,76
3 000
₡376,82
9 000
Ver
1 000
₡377,34
9 000
₡339,86
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 030,52
28 792 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
28 792 En existencias
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1
₡1 030,52
10
₡493,92
100
₡441,35
500
₡349,23
3 000
₡338,30
9 000
Ver
1 000
₡338,82
9 000
₡303,95
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Mult.: 1
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3 000
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
BAV99_R1_00001
Panjit
1:
₡93,68
968 321 En existencias
N.º de artículo de Mouser
241-BAV99_R1_00001
Panjit
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
968 321 En existencias
1
₡93,68
10
₡40,60
100
₡35,39
500
₡26,02
3 000
₡18,22
6 000
Ver
1 000
₡24,46
6 000
₡17,70
9 000
₡15,09
24 000
₡11,97
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
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FDS8949
onsemi
1:
₡801,52
60 010 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
FDS8949
N.º de artículo de Mouser
512-FDS8949
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
60 010 En existencias
1
₡801,52
10
₡378,38
100
₡336,74
500
₡263,88
2 500
₡263,88
Comprar
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Mult.: 1
Máx.: 1 250
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2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
₡910,81
74 388 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
74 388 En existencias
1
₡910,81
10
₡496,52
100
₡425,22
500
₡351,31
1 000
₡334,14
2 500
₡282,61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
BAS31
onsemi
1:
₡239,41
401 065 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BAS31
N.º de artículo de Mouser
512-BAS31
onsemi
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
401 065 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡239,41
10
₡107,22
100
₡93,68
500
₡70,26
3 000
₡52,05
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
Carrete :
3 000
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