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Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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2 100En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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2 289En existencias
3 000Se espera el 23/7/2026
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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20 602En existencias
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Panjit Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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6 235En existencias
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: 800

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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2 786En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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42 680En existencias
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Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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331 849En existencias
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: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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399 643En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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143 156En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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110 354En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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31 319En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
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33 889En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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77 842En existencias
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Infineon Technologies Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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23En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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41 533En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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251 478En existencias
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: 3 000

ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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1 258En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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43 517En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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2 997En existencias
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: 3 000

Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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22En existencias
39Se espera el 16/10/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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56 035En existencias
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Panjit Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V,Diodos de Conmutación de Señal Baja,SOT-23,4A
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972 813En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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74 629En existencias
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Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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610 187En existencias
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