Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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NCP51561DBDWR2G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NCP51561DBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
NVMFD5C466NWFT1G
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N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C466NWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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Transistores digitales BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
RN1605TE85LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-RN1605TE85LF
Toshiba
Transistores digitales BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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SSM6N62TU,LXHF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N62TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
CSD87503Q3ET
Texas Instruments
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Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
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HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-HN1B01F-GRTE85LF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
HN1C03FU-B(TE85L,F
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-HN1C03FU-BTE85LF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
2 970 En existencias
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Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN1703JE(TE85L,F)
Toshiba
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4 000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-RN1703JETE85LF
Toshiba
Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
4 000 En existencias
1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANSISTOR
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BC847SH6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
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260 602 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-BC847SH6327XTSA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANSISTOR
260 602 En existencias
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1
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Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIODE 100V 0.2A
MMBD 7000 LT1
Infineon Technologies
1:
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137 587 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-MMBD7000LT1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIODE 100V 0.2A
137 587 En existencias
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1
₡202,98
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6 000
₡36,43
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₡32,27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
SP8M51FRATB
ROHM Semiconductor
1:
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24 002 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 755-SP8M51FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
24 002 En existencias
1
₡1 316,78
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1 000
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2 500
₡399,20
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Rectificadores 200V Vrm 10A Io Recovery Diode
RFN10T2D
ROHM Semiconductor
1:
₡1 134,61
115 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RFN10T2D
ROHM Semiconductor
Rectificadores 200V Vrm 10A Io Recovery Diode
115 En existencias
1
₡1 134,61
10
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2 500
₡336,74
5 000
₡327,89
10 000
₡313,32
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Diodos Zener Zener Diode 27V 200mW Surface Mount
UMZ27NFHT106
ROHM Semiconductor
1:
₡395,55
1 018 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-UMZ27NFHT106
ROHM Semiconductor
Diodos Zener Zener Diode 27V 200mW Surface Mount
1 018 En existencias
1
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₡117,63
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9 000
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1 000
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9 000
₡64,54
24 000
₡62,46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1:
₡1 004,50
9 066 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S4-12
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
9 066 En existencias
1
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10
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Ver
5 000
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1 000
₡302,91
2 500
₡276,89
5 000
₡256,59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1:
₡962,86
14 593 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S412AATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
14 593 En existencias
1
₡962,86
10
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100
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1 000
Ver
5 000
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1 000
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2 500
₡276,89
5 000
₡259,71
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Rectificadores Super Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified)
RF1001NS2DFHTL
ROHM Semiconductor
1:
₡1 342,80
948 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RF1001NS2DFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores Super Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified)
948 En existencias
1
₡1 342,80
10
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100
₡588,13
500
₡470,50
1 000
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2 000
Ver
2 000
₡418,97
5 000
₡391,91
10 000
₡391,39
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Detalles
Rectificadores Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
RFN6BM2DFHTL
ROHM Semiconductor
1:
₡895,20
2 039 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RFN6BM2DFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
2 039 En existencias
1
₡895,20
10
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100
₡377,86
500
₡297,19
2 500
₡242,02
5 000
Ver
1 000
₡269,08
5 000
₡230,57
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Carrete :2 500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductors
1:
₡1 337,60
1 990 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-V10D120CHM3I
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
1 990 En existencias
1
₡1 337,60
10
₡858,77
100
₡588,13
500
₡495,48
2 000
₡414,81
4 000
Ver
1 000
₡438,75
4 000
₡399,72
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJQ5948V-AU_R2_002A1
Panjit
1:
₡713,04
2 874 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5948VAUR202A1
NRND
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2 874 En existencias
1
₡713,04
10
₡332,58
100
₡295,10
500
₡271,16
3 000
₡271,16
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
CSD87312Q3E
Texas Instruments
1:
₡1 134,61
2 240 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-CSD87312Q3E
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
2 240 En existencias
1
₡1 134,61
10
₡723,45
100
₡488,72
500
₡395,55
2 500
₡314,88
5 000
Ver
1 000
₡360,68
5 000
₡288,86
10 000
₡279,49
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
HP8K24TB
ROHM Semiconductor
1:
₡1 228,30
1 349 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-HP8K24TB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
1 349 En existencias
1
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10
₡785,90
100
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5 000
Ver
1 000
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5 000
₡318,00
10 000
₡312,28
25 000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2 500
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY 45V 30MA
RB706D-40T146
ROHM Semiconductor
1:
₡447,60
5 628 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RB706D-40T146
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY 45V 30MA
5 628 En existencias
1
₡447,60
10
₡204,02
100
₡180,08
500
₡137,40
3 000
₡98,37
9 000
Ver
1 000
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9 000
₡92,64
24 000
₡87,96
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba
1:
₡301,87
7 992 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-HN4C51JTE85LF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
7 992 En existencias
1
₡301,87
10
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100
₡119,19
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₡90,04
3 000
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6 000
Ver
1 000
₡80,67
6 000
₡60,37
9 000
₡52,05
24 000
₡49,96
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1:
₡1 249,12
8 352 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S4-08
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
8 352 En existencias
1
₡1 249,12
10
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100
₡546,49
500
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1 000
Ver
5 000
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1 000
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2 500
₡384,62
5 000
₡370,05
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5 000
Detalles
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
NSVJ6904DSB6T1G
onsemi
1:
₡765,08
7 816 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 863-NSVJ6904DSB6T1G
NRND
onsemi
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
7 816 En existencias
1
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3 000
₡319,57
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 240
Carrete :3 000
Detalles
