Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual Anode Switching 90Vr 250If 600Ifrm
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CMPD1001A TR PBFREE
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual Anode Switching 90Vr 250If 600Ifrm
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Enhanced Spec Dual Pair Series Config
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CMPD7000E TR PBFREE
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Enhanced Spec Dual Pair Series Config
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual 240Vr 300Vrrm 200mA 225mA 625mA
Central Semiconductor CMXD2004SR TR PBFREE
CMXD2004SR TR PBFREE
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual 240Vr 300Vrrm 200mA 225mA 625mA
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Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV199W-Q/SOT323/SC-70
BAV199W-QX
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Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV199W-Q/SOT323/SC-70
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Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV170QA/SOT1215/DFN1010D-3
BAV170QAZ
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Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV170QA/SOT1215/DFN1010D-3
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Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
RN2501(TE85L,F)
Toshiba
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757-RN2501TE85LF
Toshiba
Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
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6 000 Se espera el 28/12/2026
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Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV99QA/SOT1215/DFN1010D-3
BAV99QAZ
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771-BAV99QAZ
Nexperia
Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV99QA/SOT1215/DFN1010D-3
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10 000 Se espera el 5/4/2027
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
TSM250NB06LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
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821-TSM250NB06LDCRLG
Taiwan Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
CMRDM3575 TR PBFREE
Central Semiconductor
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610-CMRDM3575
Central Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
ISA170170N04LMDSXTMA1
Infineon Technologies
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726-ISA170170N04LMDS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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Luces LED blancas OSLON Submount PL
KW2 C2LPL3.TK-6DT2-5L16M1
ams OSRAM
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ams OSRAM
Luces LED blancas OSLON Submount PL
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Detalles
Luces LED blancas OSLON Submount PL
KW2 C2LPL3.TK-6DT2-5L25M2
ams OSRAM
1:
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N.º de artículo de Mouser
720-KW2C2LPDT25L25M2
ams OSRAM
Luces LED blancas OSLON Submount PL
1 949 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 215mA 75V Dl Switch
BAW56-T
Rectron
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BAW56-T
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 215mA 75V Dl Switch
7 781 En existencias
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3 000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V Small Signal Dual CC Diodes
MMBD1204-T
Rectron
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N.º de artículo de Mouser
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Rectron
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V Small Signal Dual CC Diodes
5 870 En existencias
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Min.: 1
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Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V Small Signal Dual Diodes
MMBD1203-T
Rectron
1:
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Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
583-MMBD1203-T
Nuevo en Mouser
Rectron
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V Small Signal Dual Diodes
5 590 En existencias
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Detalles
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
STGSH50M120D
STMicroelectronics
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400 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STGSH50M120D
Nuevo producto
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
400 En existencias
1
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200
₡6 526,64
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200
Detalles
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current
JFE2140DSGR
Texas Instruments
1:
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2 752 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
595-JFE2140DSGR
Nuevo producto
Texas Instruments
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current
2 752 En existencias
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3 000
₡1 446,89
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN04S7L050HATMA1
Infineon Technologies
1:
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5 289 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L050HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
5 289 En existencias
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Min.: 1
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5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 004,50
6 153 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N054HAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
6 153 En existencias
1
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₡270,12
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Min.: 1
Mult.: 1
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5 000
Detalles
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
IGI65D1414A3MSXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 872,26
2 970 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IGI65D1414A3MSXU
Nuevo producto
Infineon Technologies
GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
2 970 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
ISA170230C04LMDSXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 119,00
3 842 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISA170230C04LMDS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
3 842 En existencias
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₡1 119,00
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1 000
₡390,87
4 000
₡318,00
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A
AW2K21AR
ROHM Semiconductor
1:
₡1 660,28
2 837 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-AW2K21AR
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A
2 837 En existencias
1
₡1 660,28
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1 000
₡593,33
3 000
₡546,49
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
HP8KF7HTB1
ROHM Semiconductor
1:
₡2 102,68
2 457 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HP8KF7HTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
2 457 En existencias
1
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100
₡968,07
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₡801,52
2 500
₡754,67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A
HT8KB6TB1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 098,18
2 780 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HT8KB6TB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A
2 780 En existencias
1
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₡374,74
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₡358,08
3 000
₡309,68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
HT8KE5HTB1
ROHM Semiconductor
1:
₡983,68
3 000 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-HT8KE5HTB1
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
3 000 En existencias
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₡331,54
1 000
₡320,09
3 000
₡267,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles