Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=170W F=1MHZ
XPHR7904PS,L1XHQ
Toshiba
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757-XPHR7904PSL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=170W F=1MHZ
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₡1 603,03
10
₡796,31
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₡718,24
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₡582,92
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
SIS9446DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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₡1 046,14
10
₡501,21
100
₡448,12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A
SIZ342BDT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A
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1
₡655,79
10
₡306,03
100
₡271,16
500
₡210,79
3 000
₡166,03
6 000
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₡205,06
6 000
₡160,82
9 000
₡155,62
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
VS-SC40FA65
Vishay
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
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1
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10
₡11 684,45
100
₡10 633,11
500
₡10 300,01
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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NCP51563BBDWR2G
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₡1 967,36
895 En existencias
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863-NCP51563BBDWR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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1
₡1 967,36
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₡1 483,33
25
₡1 363,62
100
₡1 228,30
250
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₡1 046,14
250
₡1 165,84
500
₡1 155,43
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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NCP51563CADWR2G
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1 602 En existencias
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863-NCP51563CADWR2G
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
1 602 En existencias
1
₡1 967,36
10
₡1 483,33
25
₡1 363,62
100
₡1 228,30
250
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1 000
₡1 092,98
250
₡1 165,84
500
₡1 155,43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
STL40DN3LLH5
STMicroelectronics
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31 047 En existencias
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
31 047 En existencias
1
₡952,45
10
₡454,37
100
₡405,44
500
₡319,57
3 000
₡256,07
9 000
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₡297,71
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
BAS31
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BAS31
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 120V 200mA
404 061 En existencias
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10
₡107,22
100
₡93,68
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
FDMS86101DC
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512-FDMS86101DC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
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1
₡3 034,31
10
₡1 592,62
100
₡1 452,10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
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FDS3992
onsemi
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₡1 327,19
10
₡640,17
100
₡556,90
500
₡442,92
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₡384,62
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
NDC7001C
onsemi
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512-NDC7001C
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
91 540 En existencias
54 000 Se espera el 11/6/2027
1
₡468,42
10
₡214,43
100
₡188,93
500
₡144,69
3 000
₡111,90
6 000
₡102,53
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMC3071LVT-7
Diodes Incorporated
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621-DMC3071LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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₡317,48
10
₡141,05
100
₡123,87
500
₡121,27
3 000
₡79,11
6 000
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₡92,12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
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337 037 En existencias
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621-DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
337 037 En existencias
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₡286,26
10
₡126,99
500
₡95,25
1 000
₡81,71
3 000
₡62,46
6 000
₡58,81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
+2 imágenes
DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
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168 013 En existencias
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621-DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
168 013 En existencias
1
₡348,71
10
₡156,66
100
₡137,40
500
₡129,60
1 000
₡103,05
2 500
₡80,67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSG0810NDIATMA1
Infineon Technologies
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13 765 En existencias
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726-BSG0810NDIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
13 765 En existencias
1
₡1 884,08
10
₡947,25
100
₡858,77
500
₡697,42
1 000
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5 000
₡645,38
1 000
₡687,01
2 500
₡645,38
5 000
₡645,38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
SI5936DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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₡650,58
68 971 En existencias
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78-SI5936DU-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
68 971 En existencias
1
₡650,58
10
₡302,39
100
₡268,56
500
₡208,19
3 000
₡163,95
9 000
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1 000
₡202,98
9 000
₡150,41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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21 366 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
21 366 En existencias
1
₡1 613,44
10
₡801,52
100
₡723,45
500
₡582,92
3 000
₡525,67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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₡1 197,07
51 010 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
51 010 En existencias
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1
₡1 197,07
10
₡582,92
100
₡520,47
500
₡414,29
1 000
₡400,76
3 000
₡350,79
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡973,27
32 073 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ570EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
32 073 En existencias
1
₡973,27
10
₡464,26
100
₡414,29
500
₡327,37
1 000
₡315,40
3 000
₡263,36
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡1 030,52
44 812 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
44 812 En existencias
1
₡1 030,52
10
₡493,92
100
₡441,35
500
₡349,23
1 000
₡339,86
3 000
₡285,22
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Mult.: 1
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3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡1 956,95
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N.º de artículo de Mouser
781-SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
40 622 En existencias
1
₡1 956,95
10
₡988,88
100
₡895,20
500
₡728,65
3 000
₡687,01
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
EFC3J018NUZTDG
onsemi
1:
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98 757 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-EFC3J018NUZTDG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
98 757 En existencias
1
₡916,02
10
₡435,11
100
₡388,27
500
₡305,51
1 000
Ver
5 000
₡241,50
1 000
₡281,57
2 500
₡254,51
5 000
₡241,50
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SOT963 20V 280MA TR
NTUD3174NZT5G
onsemi
1:
₡608,94
128 285 En existencias
112 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NTUD3174NZT5G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SOT963 20V 280MA TR
128 285 En existencias
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1
₡608,94
10
₡281,57
100
₡249,82
500
₡193,09
1 000
Ver
8 000
₡136,88
1 000
₡188,41
2 500
₡176,44
5 000
₡136,88
8 000
₡136,88
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
NVMFD6H840NLT1G
onsemi
1:
₡1 993,38
18 051 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H840NLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
18 051 En existencias
1
₡1 993,38
10
₡1 009,70
100
₡910,81
500
₡744,27
1 000
₡702,63
1 500
₡702,63
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
+2 imágenes
IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
1:
₡1 295,96
20 379 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRF7341GTRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
20 379 En existencias
1
₡1 295,96
10
₡634,97
100
₡567,31
500
₡453,85
1 000
Ver
4 000
₡390,35
1 000
₡440,31
2 000
₡418,45
4 000
₡390,35
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Mult.: 1
Carrete :
4 000
Detalles