Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8M3HZGTB
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
2 330 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8M4HZGTB
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
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Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
1SS362TE85LF
Toshiba
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Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
44 642 En existencias
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
PMBT2907AYSX
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT2907AYS/SOT363/SC-88
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Diodos de Conmutación de Señal Baja 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
SIZ980DT-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA533EDJ-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
72 736 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
ECH8695R-TL-W
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-ECH8695R-TL-W
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
12 178 En existencias
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
NSVJ5908DSG5T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVJ5908DSG5T1G
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET
15 045 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
NVJD4401NT1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVJD4401NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO
9 854 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
NVMFD5C470NT1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C470NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
2 864 En existencias
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₡502,77
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
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4 194 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD5C672NLWFT
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
4 194 En existencias
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₡1 759,17
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₡890,00
100
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1 500
₡598,54
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Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
LQA20N200C
Power Integrations
1:
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2 327 En existencias
N.º de artículo de Mouser 903-LQA20N200C
Power Integrations
Rectificadores 200V, Dual, 10A Ultra-Low Qrr IC
2 327 En existencias
1
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25
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2 500
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5 000
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250
₡541,28
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₡518,38
1 000
₡515,26
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₡472,58
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Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
MMBD1503A-D87Z
onsemi
1:
₡296,67
86 180 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-MMBD1503AD87Z
onsemi
Diodos de Conmutación de Señal Baja High Conductance Low Leakage
86 180 En existencias
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₡296,67
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10 000
₡89,00
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Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
SBR15U100CTLQ-13
Diodes Incorporated
1:
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5 010 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-SBR15U100CTLQ-13
Diodes Incorporated
Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectif
5 010 En existencias
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₡947,25
10
₡498,61
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2 500
₡367,45
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
BSL316C H6327
Infineon Technologies
1:
₡660,99
45 384 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSL316CH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
45 384 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡660,99
10
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₡287,82
500
₡178,00
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1 000
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₡100,45
9 000
₡87,96
24 000
₡74,43
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Carrete :3 000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 321,98
2 595 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N06S4L11AAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
2 595 En existencias
1
₡1 321,98
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1 000
Ver
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1 000
₡441,35
2 500
₡417,41
5 000
₡401,28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
QH8JC5TCR
ROHM Semiconductor
1:
₡999,29
20 674 En existencias
15 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 755-QH8JC5TCR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
20 674 En existencias
15 000 En pedido
1
₡999,29
10
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Ver
1 000
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6 000
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9 000
₡270,64
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
SH8JB5TB1
ROHM Semiconductor
1:
₡1 696,72
2 467 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SH8JB5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
2 467 En existencias
1
₡1 696,72
10
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₡567,31
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Luces LED multicolor The factory is currently not accepting orders for this product.
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SML-825MVWT86
ROHM Semiconductor
1:
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4 913 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SML-825MVWT86
ROHM Semiconductor
Luces LED multicolor The factory is currently not accepting orders for this product.
4 913 En existencias
1
₡546,49
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₡378,38
100
₡279,49
3 000
₡203,50
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Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
SP8K41HZGTB
ROHM Semiconductor
1:
₡1 545,78
1 557 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SP8K41HZGTB
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
1 557 En existencias
1
₡1 545,78
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1 000
₡536,08
2 500
₡500,69
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Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT3946YPN/SOT363/SC-88
PMBT3946YPN,125
Nexperia
1:
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N.º de artículo de Mouser 771-PMBT3946YPN125
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT3946YPN/SOT363/SC-88
86 486 En existencias
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₡28,63
9 000
₡25,50
24 000
₡19,78
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
₡910,81
23 625 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
23 625 En existencias
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₡910,81
10
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₡304,47
1 000
₡280,53
3 000
₡240,98
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3 000
Detalles
