CFD7 CoolMOS™ MOSFETs

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFETs are ideal for resonant high power topologies and feature high voltage superjunction MOSFET technology. The MOSFETs have an integrated fast body diode and completes the CoolMOS 7 series. Typical high power switch-mode power supply (SMPS) applications include server, telecom, and EV charging stations.

Resultados: 70
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
718En existencias
Cinta cortada
₡3 851,44
₡2 061,04
₡1 889,29
₡1 701,92
Envase tipo carrete
₡1 701,92
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
752En existencias
Cinta cortada
₡6 766,05
₡4 710,21
₡4 460,39
Envase tipo carrete
₡4 460,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
786En existencias
Cinta cortada
₡3 128,00
₡1 644,67
₡1 290,75
Envase tipo carrete
₡1 290,75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
719En existencias
Cinta cortada
₡7 119,97
₡4 049,22
₡4 044,02
₡3 825,42
Envase tipo carrete
₡3 825,42
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 440En existencias
Cinta cortada
₡4 184,54
₡2 258,82
₡2 076,66
₡2 014,20
₡1 899,70
Envase tipo carrete
₡1 899,70
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
552En existencias
Cinta cortada
₡10 273,99
₡6 495,41
₡6 146,70
Envase tipo carrete
₡6 146,70
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
693En existencias
₡5 485,71
₡2 977,06
₡2 722,03
₡2 685,60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 895En existencias
Cinta cortada
₡2 440,98
₡1 608,24
₡1 467,71
₡1 254,32
Envase tipo carrete
₡1 254,32
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 595En existencias
Cinta cortada
₡2 211,98
₡1 306,37
₡1 066,95
₡890,00
₡858,77
Envase tipo carrete
₡806,72
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 225En existencias
Cinta cortada
₡2 279,64
₡1 165,84
₡1 056,54
₡895,20
₡843,15
Envase tipo carrete
₡843,15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 700
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 492En existencias
Cinta cortada
₡4 028,40
₡2 165,14
₡1 988,18
₡1 910,11
₡1 806,01
Envase tipo carrete
₡1 806,01
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
1 110En existencias
₡5 964,53
₡3 263,32
₡3 039,52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
678En existencias
₡2 675,19
₡1 384,44
₡1 259,53
₡1 103,39
₡1 035,73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
577En existencias
Cinta cortada
₡5 350,38
₡2 961,45
₡2 784,49
₡2 779,29
₡2 633,55
Envase tipo carrete
₡2 633,55
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 321En existencias
Cinta cortada
₡2 701,22
₡1 400,05
₡1 275,14
₡1 165,84
₡1 124,21
Envase tipo carrete
₡1 056,54
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
712En existencias
₡1 759,17
₡879,59
₡796,31
₡640,17
₡608,94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 000En existencias
Cinta cortada
₡3 409,05
₡1 889,29
₡1 629,06
₡1 498,94
₡1 462,51
Envase tipo carrete
₡1 462,51
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2 007En existencias
Cinta cortada
₡2 430,57
₡1 249,12
₡1 134,61
₡973,27
Envase tipo carrete
₡910,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
816En existencias
Cinta cortada
₡3 867,06
₡2 071,45
₡1 899,70
₡1 811,22
Envase tipo carrete
₡1 712,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3 336En existencias
Cinta cortada
₡1 863,27
₡1 009,70
₡837,95
₡728,65
₡702,63
Envase tipo carrete
₡702,63
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 980En existencias
Cinta cortada
₡3 809,81
₡2 040,22
₡1 868,47
₡1 774,79
₡1 675,90
Envase tipo carrete
₡1 675,90
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 924En existencias
Cinta cortada
₡2 628,35
₡1 363,62
₡1 238,71
₡1 082,57
₡1 066,95
Envase tipo carrete
₡1 020,11
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
420En existencias
Cinta cortada
₡2 722,03
₡1 410,46
₡1 285,55
₡1 134,61
Envase tipo carrete
₡1 066,95
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
4 368En existencias
3 000Se espera el 30/11/2026
Cinta cortada
₡5 027,70
₡2 815,72
₡2 617,94
₡2 576,30
Envase tipo carrete
₡2 440,98
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1 678En existencias
₡1 618,65
₡806,72
₡723,45
₡582,92
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement CoolMOS Tube