SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.

Resultados: 28
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea 5 905En existencias
₡3 997,17
₡2 170,34
₡2 014,20
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 1 462En existencias
₡9 909,66
₡6 563,07
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110mohm 760En existencias
₡4 075,24
₡2 217,18
₡2 066,25
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET 1 282En existencias
₡5 912,49
₡4 148,11
₡3 606,83
₡3 409,05
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 68 mOhms 30 V 5 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 771En existencias
₡3 429,87
₡1 837,24
₡1 644,67
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 971En existencias
₡2 123,50
₡1 087,77
₡983,68
₡863,97
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 850 mOhms 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28.4 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 705En existencias
₡3 872,26
₡2 097,48
₡1 930,93
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 220 mOhms 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO 744En existencias
₡3 122,79
₡2 071,45
₡1 899,70
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 2 715En existencias
₡2 800,10
₡1 753,97
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₡1 368,82
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 190 mOhms 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 290 mOhm 602En existencias
₡3 658,87
₡2 956,24
₡2 196,36
₡2 035,02
₡1 951,75
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 44 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 866En existencias
₡4 871,56
₡2 633,55
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 70 mOhms 20 V 2.5 V 128 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive 424En existencias
₡3 903,49
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₡1 951,75
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive 3 129En existencias
₡2 883,38
₡1 519,76
₡1 363,62
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 600V Fast ver 787En existencias
₡3 679,69
₡1 982,97
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₡1 806,01
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET 1 711En existencias
₡2 716,83
₡1 426,08
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₡1 207,48
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.6 A 190 mOhms 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET 1 147En existencias
₡2 373,32
₡1 556,19
₡1 155,43
₡968,07
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.2 A 380 mOhms 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 1 990En existencias
₡2 321,28
₡1 197,07
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₡973,27
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 359En existencias
Cinta cortada
₡3 612,03
₡2 420,16
₡2 222,39
Envase tipo carrete
₡2 040,22
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: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 794En existencias
₡2 149,52
₡1 405,26
₡1 020,11
₡853,56
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.3 Ohms 20 V 4.5 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET 417En existencias
₡10 404,10
₡7 770,55
₡6 714,00
₡6 360,09
₡6 021,78
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms 20 V 3 V 229 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET II UniFET FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 400mohm 4 510En existencias
₡3 101,97
₡2 035,02
₡1 509,35
₡1 264,73
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 400 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 2 633En existencias
Cinta cortada
₡1 597,83
₡1 030,52
₡702,63
₡572,51
Envase tipo carrete
₡515,26
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.4 Ohms 20 V 2.5 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET 295En existencias
₡5 397,23
₡3 815,01
₡3 180,04
₡2 831,33
₡2 649,17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2, 190mohm 1 275En existencias
₡2 971,86
₡1 946,54
₡1 431,28
₡1 275,14
₡1 129,41
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.2 A 199 mOhms 20 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V NChnl SuperFET II FRFET MOSFET 3En existencias
₡10 372,88
₡7 900,66
₡6 578,68
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₡5 480,50
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms 20 V 5 V 229 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET, FRFET Tube