EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

Resultados: 31
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix SIHB105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
7 408En existencias
₡2 659,58
₡1 379,23
₡1 254,32
₡1 035,73
₡1 030,52
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix SIHA186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 516En existencias
₡2 232,80
₡1 415,67
₡1 056,54
₡905,61
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors SIHW61N65EF-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
Hoja de datos
409En existencias
₡8 202,53
₡4 736,24
₡4 538,46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tube
Vishay / Siliconix SIHG105N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
2 238En existencias
₡2 909,40
₡1 519,76
₡1 384,44
₡1 306,37
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHP22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Hoja de datos
1 555En existencias
₡2 633,55
₡1 727,95
₡1 290,75
₡1 082,57
₡931,63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHA22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Hoja de datos
987En existencias
₡2 461,80
₡1 269,94
₡1 150,23
₡947,25
₡942,04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHB22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Hoja de datos
1 695En existencias
₡2 690,81
₡1 764,38
₡1 316,78
₡1 103,39
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHG052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
461En existencias
₡4 397,93
₡2 388,94
₡2 196,36
₡2 009,00
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix SIHG24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 387En existencias
₡3 180,04
₡1 675,90
₡1 530,17
₡1 472,92
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2 873En existencias
Cinta cortada
₡7 036,69
₡6 485,00
₡4 913,19
₡4 127,29
₡3 273,73
Envase tipo carrete
₡2 482,62
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix SIHG44N65EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
475En existencias
₡5 980,15
₡3 788,99
₡3 304,96
₡3 023,90
₡2 935,42
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHH14N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2 996En existencias
Cinta cortada
₡3 112,38
₡1 634,26
₡1 493,74
₡1 353,21
₡1 264,73
Envase tipo carrete
₡1 264,73
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix SIHP21N65EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
925En existencias
₡3 284,14
₡2 154,73
₡1 587,42
₡1 410,46
₡1 243,91
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHB24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
825En existencias
₡3 877,47
₡2 545,08
₡2 045,43
₡1 858,06
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHG61N65EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
289En existencias
₡8 598,09
₡6 552,66
₡5 459,68
₡4 887,17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix SIHH11N65EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2 927En existencias
Cinta cortada
₡3 112,38
₡2 040,22
₡1 504,15
₡1 337,60
₡1 186,66
Envase tipo carrete
₡1 186,66
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix SIHG24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
440En existencias
₡3 960,74
₡2 649,17
₡2 133,91
₡1 800,81
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
953En existencias
₡2 232,80
₡1 186,66
₡1 077,36
₡884,79
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHP052N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
921En existencias
₡4 153,31
₡2 243,21
₡2 102,68
₡1 889,29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHP24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 620En existencias
₡2 789,69
₡1 452,10
₡1 321,98
₡1 098,18
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHG186N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
332En existencias
₡2 477,42
₡1 275,14
₡952,45
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
59En existencias
₡9 977,32
₡7 604,00
₡5 277,52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Hoja de datos
500Existencias disponibles
Más información disponible
₡1 498,94
₡1 363,62
₡1 155,43
Min.: 50
Mult.: 50
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
5 000Existencias disponibles
Más información disponible
₡1 040,93
₡863,97
₡796,31
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
₡1 571,81
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube