Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistores de potencia CoolMOS P7 600 V

Los transistores de potencia CoolMOS P7 de 600 V de Infineon son la 7ª generación de dispositivos que utilizan una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión. Los transistores están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos por Infineon Technologies. Los transistores CoolMOS P7 de 600 V combinan los beneficios de un MOSFET SJ de conmuntación rápida con excelente facilidad de uso. Los transistores P7 de 600 V ofrecen tendencia de repique muy baja, magnífica resistencia del diodo del cuerpo a la conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y atractivas.
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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 305,66 5 234En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R120P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R120P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5 234En existencias	Cinta cortada ₡2 305,66 ₡1 181,46 ₡1 066,95 ₡905,61 Envase tipo carrete ₡853,56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 674,49 3 510En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 510En existencias	₡3 674,49 ₡1 915,31 ₡1 753,97 ₡1 597,83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 200,16 3 453En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 453En existencias	Cinta cortada ₡4 200,16 ₡2 279,64 ₡2 092,27 ₡2 035,02 ₡1 920,52 Envase tipo carrete ₡1 920,52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD60R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡905,61 2 472En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2 472En existencias	Cinta cortada ₡905,61 ₡429,90 ₡363,28 ₡299,27 Envase tipo carrete ₡246,70 Ver ₡277,41 ₡237,85	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	490 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 116,17 220En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	220En existencias	₡5 116,17 ₡2 758,47 ₡2 545,08 ₡2 482,62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡4 262,61 4 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 712En existencias	Cinta cortada ₡4 262,61 ₡2 852,15 ₡2 295,25 ₡2 055,84 Envase tipo carrete ₡1 936,13 Ver ₡1 894,49 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 826,13 7 191En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R105P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R105P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7 191En existencias	Cinta cortada ₡2 826,13 ₡1 535,37 ₡1 400,05 ₡1 223,09 ₡1 202,28 Envase tipo carrete ₡1 103,39	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	85 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	137 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 584,59 12 656En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12 656En existencias	₡5 584,59 ₡3 034,31 ₡2 805,31 ₡2 784,49	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4 000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 159,93 12 781En existencias 62 640En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPW60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12 781En existencias 62 640En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPW60R180P7XKSA1 Existencias: 12 781 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 19 440 Se espera el 25/11/2026 43 200 Se espera el 17/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	₡2 159,93 ₡1 066,95 ₡973,27 ₡806,72 ₡801,52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 174,84 1 282En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R080P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 282En existencias	Cinta cortada ₡3 174,84 ₡1 884,08 ₡1 535,37 ₡1 363,62 Envase tipo carrete ₡1 217,89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 738,35 7 515En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7 515En existencias	Cinta cortada ₡1 738,35 ₡869,18 ₡785,90 ₡634,97 Envase tipo carrete ₡582,92 ₡577,72	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 446,89 4 443En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 443En existencias	Cinta cortada ₡1 446,89 ₡713,04 ₡640,17 ₡514,74 Envase tipo carrete ₡473,62 ₡454,37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡7 432,25 1 004En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 004En existencias	₡7 432,25 ₡4 163,72 ₡4 007,58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	101 A	24 mOhms	20 V	3.5 V	164 nC	- 55 C	+ 150 C	291 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 980,85 1 028En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 028En existencias	₡4 980,85 ₡3 143,61 ₡2 414,96 ₡2 331,68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 018,70 1 726En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 726En existencias	₡3 018,70 ₡1 582,21 ₡1 441,69 ₡1 228,30	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 675,19 804En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R099P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	804En existencias	₡2 675,19 ₡1 389,64 ₡1 264,73 ₡1 040,93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡2 305,66 1 872En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R120P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 872En existencias	₡2 305,66 ₡1 181,46 ₡1 072,16 ₡874,38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 176,25 8 000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8 000En existencias	₡1 176,25 ₡588,13 ₡503,29 ₡407,52 Ver ₡365,37 ₡341,43 ₡324,25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 419,46 880En existencias 1 000Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R060P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R060P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	880En existencias 1 000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada ₡3 419,46 ₡1 936,13 ₡1 759,17 ₡1 556,19 Envase tipo carrete ₡1 467,71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	164 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 831,33 1 142En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1 142En existencias	Cinta cortada ₡2 831,33 ₡1 467,71 ₡1 332,39 ₡1 103,39 Envase tipo carrete ₡1 040,93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 145,02 4 054En existencias 17 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R180P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 054En existencias 17 500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R180P7SAUMA1 Existencias: 4 054 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10 000 Se espera el 4/3/2027 7 500 Se espera el 1/4/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada ₡1 145,02 ₡556,90 ₡496,00 ₡394,51 ₡377,86 Envase tipo carrete ₡329,98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2 500 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 40 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: ₡645,38 6 111En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	6 111En existencias	Cinta cortada ₡645,38 ₡300,83 ₡267,00 ₡207,15 Envase tipo carrete ₡162,39 Ver ₡204,02 ₡148,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	600 mOhms	20 V	3.5 V	9 nC	- 40 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 497,53 2 792En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R085P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R085P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2 792En existencias	Cinta cortada ₡3 497,53 ₡2 097,48 ₡1 686,31 ₡1 519,76 ₡1 420,87 Envase tipo carrete ₡1 358,41	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	39 A	73 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 40 C	+ 150 C	154 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R125P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡2 019,41 7 561En existencias 3 000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPL60R125P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R125P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7 561En existencias 3 000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada ₡2 019,41 ₡1 119,00 ₡1 020,11 ₡879,59 ₡869,18 Envase tipo carrete ₡827,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	27 A	104 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 40 C	+ 150 C	111 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 712,33 3 667En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 667En existencias	Cinta cortada ₡1 712,33 ₡853,56 ₡770,29 ₡624,56 ₡614,15 Envase tipo carrete ₡567,31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	19 A	149 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 40 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel