MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 643,26 825En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R090M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	825En existencias	Cinta cortada ₡3 643,26 ₡2 513,85 ₡2 264,02 ₡2 154,73 Envase tipo carrete ₡2 118,29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡7 218,86 617En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R045M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta cortada ₡7 218,86 ₡4 397,93 ₡4 085,65 Envase tipo carrete ₡3 861,85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 278,93 368En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	₡3 278,93 ₡2 274,43 ₡2 123,50	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡5 423,25 303En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R060M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	303En existencias	Cinta cortada ₡5 423,25 ₡3 018,70 ₡2 846,95 Envase tipo carrete ₡2 690,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡8 140,08 370En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	370En existencias	₡8 140,08 ₡5 496,11 ₡5 235,88	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡8 514,81 2 509En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R030M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2 509En existencias	Cinta cortada ₡8 514,81 ₡5 100,56 Envase tipo carrete ₡4 762,26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 981,56 6 541En existencias 9 000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R450M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	6 541En existencias 9 000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMBF170R450M1XTMA1 Existencias: 6 541 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3 000 Se espera el 11/3/2027 6 000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada ₡3 981,56 ₡2 664,78 ₡2 144,32 ₡1 904,90 Envase tipo carrete ₡1 686,31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 263,32 1 420En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R350M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	1 420En existencias	Cinta cortada ₡3 263,32 ₡2 139,11 ₡1 577,01 ₡1 426,08 Envase tipo carrete ₡1 426,08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 809,10 1 054En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1 054En existencias	₡4 809,10 ₡2 576,30 ₡2 373,32 ₡2 258,82	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 762,96 3 851En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3 851En existencias	₡3 762,96 ₡1 962,15 ₡1 800,81 ₡1 795,61 ₡1 629,06	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡7 609,20 1 701En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1 701En existencias	₡7 609,20 ₡4 574,89 ₡4 517,64	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 600,21 341En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	341En existencias	₡5 600,21 ₡3 044,72 ₡2 815,72 ₡2 794,90	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 969,74 855En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	855En existencias	₡5 969,74 ₡4 319,86 ₡3 596,42 ₡3 200,86 ₡2 992,68	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 079,74 960En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	960En existencias	₡5 079,74 ₡2 732,44 ₡2 524,26 ₡2 425,37	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 418,04 298En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	298En existencias	₡5 418,04 ₡3 117,59 ₡2 888,58	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 539,16 2 436En existencias	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R650M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	2 436En existencias	Cinta cortada ₡3 539,16 ₡2 321,28 ₡1 707,13 ₡1 519,76 Envase tipo carrete ₡1 342,80 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 908,70 3 842En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R140M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	3 842En existencias	Cinta cortada ₡3 908,70 ₡2 097,48 ₡1 920,52 Envase tipo carrete ₡1 785,20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₡3 466,30 2 469En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R220M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	2 469En existencias	Cinta cortada ₡3 466,30 ₡1 837,24 ₡1 655,08 Envase tipo carrete ₡1 462,51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡5 766,76 472En existencias 720Se espera el 20/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	472En existencias 720Se espera el 20/10/2026	₡5 766,76 ₡4 075,24 ₡3 398,64 ₡3 023,90 ₡2 826,13	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 142,90 314En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R072M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	₡4 142,90 ₡2 378,53 ₡2 211,98 ₡2 128,70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 939,92 463En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R107M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	463En existencias	₡3 939,92 ₡2 066,25 ₡1 899,70 ₡1 753,97	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 705,71 43En existencias 960En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	43En existencias 960En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R350M1HXKSA1 Existencias: 43 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 720 Se espera el 3/12/2026 240 Se espera el 10/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡3 705,71 ₡2 425,37 ₡1 790,40 ₡1 587,42 ₡1 405,26	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡4 252,20 22En existencias 2 160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	22En existencias 2 160En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZ120R220M1HXKSA1 Existencias: 22 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 960 Se espera el 25/3/2027 1 200 Se espera el 15/4/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡4 252,20 ₡2 846,95 ₡2 290,05 ₡2 029,82 ₡1 800,81	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡3 721,33 179En existencias 240Se espera el 10/12/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Hoja de datos	179En existencias 240Se espera el 10/12/2026	₡3 721,33 ₡2 487,82 ₡2 003,79 ₡1 774,79 ₡1 571,81	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₡8 280,60 17En existencias 3 600En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	17En existencias 3 600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZA65R027M1HXKSA1 Existencias: 17 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1 680 Se espera el 5/10/2027 1 920 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	₡8 280,60 ₡4 689,39 ₡4 647,76 ₡4 642,55	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC