R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (trr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

Resultados: 71
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
2 450En existencias
Cinta cortada
₡1 363,62
₡671,40
₡603,74
₡480,39
₡460,09
Envase tipo carrete
₡418,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
487En existencias
₡4 939,22
₡2 649,17
₡2 524,26
₡2 498,23
₡2 368,12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
732En existencias
₡4 392,73
₡2 425,37
₡2 227,59
₡2 201,57
₡2 066,25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 500V 16A
Hoja de datos
669En existencias
₡3 112,38
₡1 634,26
₡1 493,74
₡1 337,60
₡1 280,34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 286 mOhms 30 V 7 V 42 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 8A
Hoja de datos
1 947En existencias
₡2 378,53
₡1 249,12
₡1 134,61
₡962,86
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 585 mOhms 30 V 7 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
442En existencias
₡6 099,85
₡3 346,59
₡3 128,00
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms 30 V 7 V 74 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
726En existencias
₡2 893,79
₡1 577,01
₡1 415,67
₡1 223,09
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 500V 7A
Hoja de datos
1 855En existencias
₡2 066,25
₡1 046,14
₡947,25
₡785,90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
389En existencias
₡4 767,46
₡2 550,28
₡2 409,75
₡2 394,14
₡2 264,02
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
2 500En existencias
Cinta cortada
₡1 504,15
₡785,90
₡666,20
₡541,28
₡502,25
Envase tipo carrete
₡475,18
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
1 699En existencias
Cinta cortada
₡1 681,10
₡837,95
₡754,67
₡614,15
₡593,33
Envase tipo carrete
₡556,90
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
1 375En existencias
Cinta cortada
₡1 254,32
₡614,15
₡551,69
₡436,67
₡415,33
Envase tipo carrete
₡373,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
4 925En existencias
Cinta cortada
₡1 436,48
₡707,83
₡634,97
₡509,54
₡493,92
Envase tipo carrete
₡449,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
6 983En existencias
Cinta cortada
₡1 660,28
₡827,54
₡744,27
₡603,74
₡582,92
Envase tipo carrete
₡546,49
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
504En existencias
₡5 693,89
₡3 101,97
₡2 867,76
₡2 857,36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 80 mOhms 20 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 8A
Hoja de datos
983En existencias
Cinta cortada
₡2 170,34
₡1 103,39
₡1 004,50
₡837,95
Envase tipo carrete
₡785,90
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 585 mOhms 30 V 7 V 22 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
2 957En existencias
Cinta cortada
₡1 951,75
₡983,68
₡890,00
₡728,65
₡723,45
Envase tipo carrete
₡681,81
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
399En existencias
₡3 617,23
₡1 884,08
₡1 727,95
₡1 566,60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1 188En existencias
₡1 665,49
₡827,54
₡749,47
₡603,74
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.43 Ohms 30 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 12A
Hoja de datos
1 738En existencias
Cinta cortada
₡2 461,80
₡1 269,94
₡1 150,23
₡994,09
Envase tipo carrete
₡936,84
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 390 mOhms 30 V 7 V 28 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
863En existencias
₡1 712,33
₡853,56
₡770,29
₡624,56
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
668En existencias
₡3 211,27
₡2 071,45
₡1 550,99
₡1 379,23
₡1 233,50
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 253 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
541En existencias
₡3 710,92
₡1 936,13
₡1 774,79
₡1 618,65
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A
Hoja de datos
832En existencias
Cinta cortada
₡3 190,45
₡1 681,10
₡1 535,37
₡1 405,26
Envase tipo carrete
₡1 321,98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms 30 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 252 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
300En existencias
₡3 887,88
₡2 040,22
₡1 873,68
₡1 722,74
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube