Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

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Resultados: 28

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 TK160F10N1L,LXGQ Toshiba 1: ₡2 591,92 26 191En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK160F10N1L,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	26 191En existencias	Cinta cortada ₡2 591,92 ₡1 342,80 ₡1 217,89 ₡1 061,75 Envase tipo carrete ₡999,29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	100 V	160 A	2.4 mOhms	20 V	3.5 V	122 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A XPN12006NC,L1XHQ Toshiba 1: ₡983,68 56 440En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPN12006NC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A Obtenga más información sobre Toshiba xpn12006nc mosfets	Hoja de datos	56 440En existencias	Cinta cortada ₡983,68 ₡471,02 ₡420,54 ₡332,06 Envase tipo carrete ₡274,29 Ver ₡311,76 ₡306,03 ₡267,52	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	20 A	23.7 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101 XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba 1: ₡1 379,23 6 405En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH4R10ANB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R10ANBL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	6 405En existencias	Cinta cortada ₡1 379,23 ₡676,61 ₡608,94 ₡486,11 Ver Envase tipo carrete ₡424,18 ₡466,86 ₡448,12 ₡424,18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	4.1 mOhms	20 V	3.5 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101 TK60S10N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡1 280,34 5 795En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK60S10N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK60S10N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	5 795En existencias	Cinta cortada ₡1 280,34 ₡624,56 ₡562,10 ₡447,60 ₡422,62 Envase tipo carrete ₡384,62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	60 A	6.11 mOhms	20 V	3.5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101 XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba 1: ₡1 171,05 10 758En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH6R30ANB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH6R30ANBL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	10 758En existencias	Cinta cortada ₡1 171,05 ₡567,31 ₡507,97 ₡404,40 Ver Envase tipo carrete ₡339,86 ₡378,38 ₡364,85 ₡339,86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	N-Channel	1 Channel	100 V	45 A	6.3 mOhms	20 V	3.5 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba 1: ₡1 696,72 4 844En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPW4R10ANB,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPW4R10ANBL1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4 844En existencias	Cinta cortada ₡1 696,72 ₡848,36 ₡765,08 ₡619,35 Ver Envase tipo carrete ₡562,10 ₡598,54 ₡562,10 ₡562,10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	DSOP-8	N-Channel	1 Channel	100 V	70 A	4.1 mOhms	20 V	3.5 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101 TK15S04N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡754,67 2 860En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK15S04N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 860En existencias	Cinta cortada ₡754,67 ₡353,92 ₡314,88 ₡245,66 Envase tipo carrete ₡211,83 Ver ₡242,54 ₡184,77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	15 A	17.8 mOhms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101 TK60F10N1L,LXGQ Toshiba 1: ₡1 701,92 1 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK60F10N1L,LXGQ N.º de artículo de Mouser 757-TK60F10N1LLXGQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	1 985En existencias	Cinta cortada ₡1 701,92 ₡848,36 ₡765,08 ₡619,35 Envase tipo carrete ₡567,31 ₡562,10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	N-Channel	1 Channel	100 V	60 A	6.11 mOhms	20 V	3.5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F SSM6K810R,LXHF Toshiba 1: ₡603,74 4 724En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K810R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K810RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4 724En existencias	Cinta cortada ₡603,74 ₡280,01 ₡247,74 ₡192,05 Envase tipo carrete ₡150,41 Ver ₡183,20 ₡144,17 ₡135,32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	1 Channel	100 V	3.5 A	51 mOhms	20 V	2.5 V	3.2 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK40S06N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡895,20 2 100En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK40S06N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK40S06N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 100En existencias	Cinta cortada ₡895,20 ₡423,66 ₡377,86 ₡297,19 Envase tipo carrete ₡249,30 Ver ₡291,46 ₡230,57	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	10.5 mOhms	20 V	2.5 V	26 nC		+ 175 C	88.2 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF) XSM6K336NW,LXHF Toshiba 1: ₡442,40 2 900En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6K336NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K336NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 900En existencias	Cinta cortada ₡442,40 ₡202,46 ₡178,52 ₡136,36 Envase tipo carrete ₡105,13 Ver ₡135,84 ₡91,60 ₡86,92	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	30 V	3 A	95 mOhms	20 V	2.5 V	1.7 nC		+ 150 C	3.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF) XSM6K361NW,LXHF Toshiba 1: ₡577,72 2 270En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6K361NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K361NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 270En existencias	Cinta cortada ₡577,72 ₡360,16 ₡236,81 ₡185,81 Envase tipo carrete ₡144,17 Ver ₡163,43 ₡128,55 ₡123,35 ₡119,71	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	100 V	3.5 A	69 mOhms	20 V	2.5 V	3.2 nC		+ 175 C	4.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF) XSM6K519NW,LXHF Toshiba 1: ₡582,92 2 313En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6K519NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6K519NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 313En existencias	Cinta cortada ₡582,92 ₡270,64 ₡239,41 ₡184,77 Envase tipo carrete ₡144,69 Ver ₡179,56 ₡140,53 ₡127,51 ₡121,27	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	DFN-6	N-Channel	1 Channel	40 V	8 A	17.8 mOhms	20 V	2.5 V	6.5 nC		+ 175 C	4.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm TPH1500CNH1,LQ Toshiba 1: ₡1 597,83 3 803En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPH1500CNH1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH1500CNH1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	3 803En existencias	Cinta cortada ₡1 597,83 ₡796,31 ₡718,24 ₡577,72 Ver Envase tipo carrete ₡520,47 ₡562,10 ₡551,69 ₡520,47	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	150 V	38 A	15.4 mOhms	20 V	4 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F SSM6K819R,LXHF Toshiba 1: ₡874,38 5 063En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K819R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K819RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	5 063En existencias	Cinta cortada ₡874,38 ₡413,25 ₡368,49 ₡289,38 Envase tipo carrete ₡231,61 Ver ₡275,33 ₡231,09 ₡225,88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	1 Channel	100 V	10 A	20.9 mOhms	20 V	2.5 V	8.5 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK100S04N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡1 254,32 4 390En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK100S04N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4 390En existencias	Cinta cortada ₡1 254,32 ₡614,15 ₡551,69 ₡436,67 ₡424,70 Envase tipo carrete ₡373,17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.3 mOhms	20 V	2.5 V	76 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm TPH4R50ANH1,LQ Toshiba 1: ₡1 243,91 3 528En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPH4R50ANH1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPH4R50ANH1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	3 528En existencias	Cinta cortada ₡1 243,91 ₡608,94 ₡546,49 ₡432,51 Ver Envase tipo carrete ₡368,49 ₡420,02 ₡405,44 ₡368,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	100 V	92 A	4.5 mOhms	20 V	4 V	58 nC		+ 150 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101 TK33S10N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡1 035,73 877En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK33S10N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK33S10N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	877En existencias	Cinta cortada ₡1 035,73 ₡496,52 ₡443,96 ₡351,31 Envase tipo carrete ₡312,28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	33 A	9.7 mOhms	20 V	2.5 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F SSM6K809R,LXHF Toshiba 1: ₡650,58 2 368En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K809R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K809RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 368En existencias	Cinta cortada ₡650,58 ₡402,84 ₡264,40 ₡207,67 Envase tipo carrete ₡160,82 Ver ₡182,68 ₡144,17 ₡137,92 ₡121,27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	1 Channel	60 V	6 A	36 mOhms	20 V	2.5 V	9.3 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F SSM6N813R,LXHF Toshiba 1: ₡645,38 1 144En existencias 3 000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6N813R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N813RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	1 144En existencias 3 000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada ₡645,38 ₡404,92 ₡266,48 ₡206,62 Envase tipo carrete ₡159,26 Ver ₡187,37 ₡149,37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	N-Channel	2 Channel	100 V	3.5 A	88 mOhms	20 V	2.5 V	3.6 nC		+ 175 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101 TK11S10N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡832,74 2 478En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK11S10N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK11S10N1LLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 478En existencias	Cinta cortada ₡832,74 ₡391,91 ₡349,23 ₡273,76 Envase tipo carrete ₡228,48 ₡210,79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	11 A	28 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101 TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba 1: ₡780,70 990En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK7S10N1Z,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK7S10N1ZLXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	990En existencias	Cinta cortada ₡780,70 ₡368,49 ₡327,89 ₡256,07 Envase tipo carrete ₡222,24 Ver ₡255,55 ₡194,13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	7 A	48 mOhms	20 V	4 V	7.1 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=78W F=1MHZ TPHR9003NL1,LQ Toshiba 1: ₡1 441,69 94En existencias 10 000Se espera el 18/12/2026	N.º de artículo del Fabricante TPHR9003NL1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TPHR9003NL1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=78W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	94En existencias 10 000Se espera el 18/12/2026	Cinta cortada ₡1 441,69 ₡718,24 ₡634,97 ₡515,78 Ver Envase tipo carrete ₡425,22 ₡489,24 ₡475,18 ₡425,22	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	SOP-8	N-Channel	1 Channel	30 V	320 A	770 uOhms	20 V	2.3 V	74 nC		+ 150 C	170 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba 1: ₡874,38 2 722En existencias 5 000Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante XPN6R706NC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN6R706NC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	2 722En existencias 5 000Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada ₡874,38 ₡414,81 ₡369,53 ₡290,42 Ver Envase tipo carrete ₡226,92 ₡275,85 ₡263,36 ₡226,92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5 000	Si	SMD/SMT	TSON-Advance-8	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	6.7 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TK25S06N1L,LXHQ Toshiba 1: ₡853,56 4 000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TK25S06N1L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TK25S06N1L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosviii h	Hoja de datos	4 000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada ₡853,56 ₡402,84 ₡358,60 ₡281,05 Envase tipo carrete ₡221,20 Ver ₡272,72 ₡202,46	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	25 A	36.8 mOhms	20 V	1.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape