Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 134

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V STB80N20M5 STMicroelectronics 1: ₡3 424,66 1 389En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB80N20M5 N.º de artículo de Mouser 511-STB80N20M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V	Hoja de datos	1 389En existencias	Cinta cortada ₡3 424,66 ₡1 816,42 ₡1 660,28 ₡1 571,81 Envase tipo carrete ₡1 457,30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	23 mOhms	25 V	5 V	104 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 STP18N55M5 STMicroelectronics 1: ₡2 050,63 2 043En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP18N55M5 N.º de artículo de Mouser 511-STP18N55M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	2 043En existencias	₡2 050,63 ₡1 066,95 ₡962,86 ₡791,11 ₡713,04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	550 V	13 A	240 mOhms	25 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II STB28NM50N STMicroelectronics 1: ₡4 351,09 806En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STB28NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	806En existencias	Cinta cortada ₡4 351,09 ₡2 357,71 ₡2 165,14 ₡2 118,29 Envase tipo carrete ₡1 998,59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	158 mOhms	25 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh STF24NM60N STMicroelectronics 1: ₡2 560,69 1 612En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF24NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STF24NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh	Hoja de datos	1 612En existencias	₡2 560,69 ₡1 321,98 ₡1 202,28 ₡988,88 ₡983,68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	17 A	190 mOhms	30 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp STP12NM50FP STMicroelectronics 1: ₡2 524,26 1 204En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP12NM50FP N.º de artículo de Mouser 511-STP12NM50FP	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp	Hoja de datos	1 204En existencias	₡2 524,26 ₡1 597,83 ₡1 358,41 ₡1 217,89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	12 A	350 mOhms	30 V	3 V	39 nC	- 65 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 STB31N65M5 STMicroelectronics 1: ₡2 784,49 980En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB31N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STB31N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	980En existencias	Cinta cortada ₡2 784,49 ₡1 446,89 ₡1 321,98 ₡1 171,05 Envase tipo carrete ₡1 103,39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	22 A	148 mOhms	25 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh STF26NM60N STMicroelectronics 1: ₡4 585,30 1 749En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF26NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STF26NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh	Hoja de datos	1 749En existencias	₡4 585,30 ₡2 498,23 ₡2 295,25 ₡2 154,73 ₡2 144,32	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	165 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp STP20NM60FP STMicroelectronics 1: ₡4 423,96 1 220En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM60FP N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FP	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	1 220En existencias	₡4 423,96 ₡2 420,16 ₡2 222,39 ₡2 071,45 ₡2 061,04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	290 mOhms	30 V	3 V	54 nC	- 65 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II STP28NM50N STMicroelectronics 1: ₡3 820,22 524En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP28NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STP28NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	524En existencias	₡3 820,22 ₡2 045,43 ₡1 873,68 ₡1 681,10	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	158 mOhms	25 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II STW28NM50N STMicroelectronics 1: ₡4 689,39 633En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW28NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STW28NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	633En existencias	₡4 689,39 ₡2 649,17 ₡2 519,05 ₡2 373,32 ₡2 368,12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	158 mOhms	25 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp STW42N65M5 STMicroelectronics 1: ₡5 844,83 476En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW42N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STW42N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	476En existencias	₡5 844,83 ₡3 278,93 ₡3 242,50 ₡2 898,99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	70 mOhms	25 V	3 V	98 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh STB11NM80T4 STMicroelectronics 1: ₡4 528,05 1 282En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB11NM80T4 N.º de artículo de Mouser 511-STB11NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh	Hoja de datos	1 282En existencias	Cinta cortada ₡4 528,05 ₡2 461,80 ₡2 264,02 Envase tipo carrete ₡2 113,09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	400 mOhms	30 V	3 V	43.6 nC	- 65 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 STB38N65M5 STMicroelectronics 1: ₡3 877,47 747En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB38N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STB38N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	747En existencias	Cinta cortada ₡3 877,47 ₡2 076,66 ₡1 904,90 ₡1 816,42 Envase tipo carrete ₡1 717,54 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	95 mOhms	25 V	3 V	71 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 STF38N65M5 STMicroelectronics 1: ₡3 601,62 1 953En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF38N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STF38N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	1 953En existencias	₡3 601,62 ₡1 920,52 ₡1 753,97 ₡1 472,92 ₡1 457,30	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	19 A	95 mOhms	25 V	3 V	71 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch STP34NM60N STMicroelectronics 1: ₡5 948,92 830En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP34NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STP34NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicropowermosfets	Hoja de datos	830En existencias	₡5 948,92 ₡3 325,77 ₡3 294,55 ₡2 966,65	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	29 A	92 mOhms	25 V	2 V	84 nC	- 55 C	+ 150 C	210 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M STW34NM60N STMicroelectronics 1: ₡4 528,05 566En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW34NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STW34NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	566En existencias	₡4 528,05 ₡3 263,32 ₡3 055,13 ₡3 034,31	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31.5 A	105 mOhms	25 V	2 V	84 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh STF11NM80 STMicroelectronics 1: ₡4 054,43 860En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF11NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	860En existencias	₡4 054,43 ₡2 185,95 ₡2 003,79 ₡1 821,63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	400 mOhms	30 V	3 V	43.6 nC	- 65 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh STW77N65M5 STMicroelectronics 1: ₡9 050,89 495En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW77N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STW77N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	495En existencias	₡9 050,89 ₡5 220,27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	30 mOhms	25 V	4 V	200 nC	- 55 C	+ 125 C	400 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh STW11NM80 STMicroelectronics 1: ₡3 523,55 916En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW11NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STW11NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	916En existencias	₡3 523,55 ₡1 826,83 ₡1 675,90 ₡1 514,55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	400 mOhms	30 V	3 V	43.6 nC	- 65 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp STW26NM50 STMicroelectronics 1: ₡6 864,94 677En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW26NM50 N.º de artículo de Mouser 511-STW26NM50	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp	Hoja de datos	677En existencias	₡6 864,94 ₡3 809,81 ₡3 648,46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	30 A	120 mOhms	30 V	5 V	76 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh STF21N65M5 STMicroelectronics 1: ₡3 023,90 899En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF21N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STF21N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	899En existencias	₡3 023,90 ₡1 639,47 ₡1 462,51 ₡1 301,16 Ver ₡1 207,48 ₡1 186,66 ₡1 171,05	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	17 A	150 mOhms	25 V	3 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II STP14NM50N STMicroelectronics 1: ₡2 805,31 700En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP14NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STP14NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II	Hoja de datos	700En existencias	₡2 805,31 ₡1 457,30 ₡1 327,19 ₡1 113,80	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	12 A	280 mOhms	25 V	4 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch STP23NM50N STMicroelectronics 1: ₡3 518,35 1 000En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP23NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STP23NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	1 000En existencias	₡3 518,35 ₡2 305,66 ₡1 696,72 ₡1 509,35 Ver ₡1 353,21 ₡1 348,01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	17 A	162 mOhms	25 V	2 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 1: ₡3 393,43 1 683En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW38N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STW38N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	1 683En existencias	₡3 393,43 ₡2 316,07 ₡2 035,02 ₡2 019,41 ₡2 009,00	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	95 mOhms	25 V	3 V	71 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A STF10NM60N STMicroelectronics 1: ₡2 029,82 738En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF10NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STF10NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	738En existencias	₡2 029,82 ₡1 186,66 ₡1 066,95 ₡910,81 Ver ₡863,97 ₡817,13	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	550 mOhms	25 V	4 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	70 W	Enhancement	MDmesh	Tube