MOSFETs de SiC – Mouser Costa Rica

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SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación
MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡12 449,53 1 034En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3080KLGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3080KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	1 034En existencias	₡12 449,53 ₡7 853,82	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	31 A	104 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡65 771,21 351En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3017ALHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3017ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	351En existencias	₡65 771,21 ₡60 826,79	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	650 V	118 A	22.1 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	172 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡68 982,48 199En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3022KLHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3022KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	199En existencias	₡68 982,48 ₡64 365,96	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	1.2 kV	95 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡11 153,57 1 619En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3105KLHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3105KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	1 619En existencias	₡11 153,57 ₡8 150,49	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	24 A	137 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	51 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N SCT3022KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡26 366,78 495En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3022KLGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3022KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	495En existencias	₡26 366,78 ₡22 468,49	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	1.2 kV	95 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS SCT3030KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡42 537,64 683En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3030KLGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3030KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	683En existencias	₡42 537,64 ₡36 401,35	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	72 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	131 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement
MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N SCT3040KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡27 293,21 460En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3040KLHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3040KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	460En existencias	₡27 293,21 ₡23 264,80 ₡22 609,02	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	55 A	52 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N SCT3030ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡25 768,24 366En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3030ALHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3030ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	366En existencias	₡25 768,24 ₡21 396,33	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	70 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N SCT3030KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡38 425,96 345En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3030KLHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3030KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	345En existencias	₡38 425,96 ₡34 605,74	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	72 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	131 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N SCT3120ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡4 975,65 450En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3120ALHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3120ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	450En existencias	₡4 975,65 ₡3 341,39 ₡3 117,59	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	21 A	156 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	38 nC		+ 175 C	103 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N SCT3080ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡10 752,82 366En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3080ALHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3080ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	366En existencias	₡10 752,82 ₡7 666,46 ₡7 270,90 ₡7 265,70 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	650 V	30 A	104 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	48 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡14 130,64 171En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3080KLHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3080KLHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	171En existencias	₡14 130,64 ₡9 925,28	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	31 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	2.7 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N SCT3060ALHRC11 ROHM Semiconductor 1: ₡13 558,12 428En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3060ALHRC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3060ALHRC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets	Hoja de datos	428En existencias	₡13 558,12 ₡9 420,42	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	78 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	58 nC		+ 175 C	165 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡10 242,76 169En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3105KLGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3105KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	169En existencias	₡10 242,76 ₡8 535,63 ₡7 890,26 ₡7 708,09 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	24 A	137 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	51 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement
MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor 1: ₡11 262,87 529En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SCT3080ARC14 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3080ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver	Hoja de datos	529En existencias	₡11 262,87 ₡8 915,57 ₡7 713,30 ₡7 296,92 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement
MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC SCT3040KRC14 ROHM Semiconductor 1: ₡28 011,45 61En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SCT3040KRC14 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3040KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC	Hoja de datos	61En existencias	₡28 011,45 ₡21 672,18	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	40 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor 1: ₡9 899,25 150En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SCT3080KRC14 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3080KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC	Hoja de datos	150En existencias	₡9 899,25 ₡5 860,44	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	31 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC SCT3060ARC14 ROHM Semiconductor 1: ₡13 891,22 704En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SCT3060ARC14 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3060ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC	Hoja de datos	704En existencias	₡13 891,22 ₡9 030,07	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	60 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC SCT3030ARC14 ROHM Semiconductor 1: ₡26 783,15 195En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SCT3030ARC14 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3030ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC	Hoja de datos	195En existencias	₡26 783,15 ₡20 511,54	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	70 A	30 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver SCT3105KRC14 ROHM Semiconductor 1: ₡9 701,48 87En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SCT3105KRC14 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3105KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver	Hoja de datos	87En existencias	₡9 701,48 ₡7 442,66	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	24 A	105 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA SCT3160KWAHRTL ROHM Semiconductor 1: ₡5 147,40 990En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3160KWAHRTL N.º de artículo de Mouser 755-SCT3160KWAHRTL	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	990En existencias	Cinta cortada ₡5 147,40 ₡2 836,54 ₡2 643,96 Envase tipo carrete ₡2 498,23	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	17 A	208 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	42 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement
MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET SCT3160KWATL ROHM Semiconductor 1: ₡5 032,90 753En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3160KWATL N.º de artículo de Mouser 755-SCT3160KWATL	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	753En existencias	Cinta cortada ₡5 032,90 ₡2 768,88 ₡2 565,89 Envase tipo carrete ₡2 425,37	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	17 A	208 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	42 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS SCT3022ALGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡29 239,75 198En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3022ALGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3022ALGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	198En existencias	₡29 239,75 ₡22 046,91 ₡21 266,22	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	93 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡17 399,16 84En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3030ALGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3030ALGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	84En existencias	₡17 399,16 ₡11 840,59 ₡11 585,56	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	70 A	39 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor 1: ₡8 546,04 170En existencias 900Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SCT3060ALGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3060ALGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	170En existencias 900Se espera el 29/10/2026	₡8 546,04 ₡4 855,94 ₡4 850,74	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	78 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	58 nC		+ 175 C	165 W	Enhancement

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

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