MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Resultados: 140
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec 1 961En existencias
Cinta cortada
₡2 050,63
₡1 040,93
₡942,04
₡775,49
₡765,08
Envase tipo carrete
₡718,24
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 800 mOhms 30 V 3 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2 000En existencias
₡4 116,88
₡2 701,22
₡2 217,18
₡1 972,56
₡1 764,38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A 634En existencias
Cinta cortada
₡3 206,07
₡1 686,31
₡1 540,58
₡1 410,46
Envase tipo carrete
₡1 332,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 1 249En existencias
Cinta cortada
₡3 268,52
₡1 722,74
₡1 577,01
₡1 446,89
Envase tipo carrete
₡1 363,62
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1 972En existencias
₡2 253,62
₡1 150,23
₡1 046,14
₡858,77
₡822,34
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 1 306En existencias
₡4 252,20
₡2 269,23
₡2 014,20
₡1 925,72
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 381En existencias
₡4 101,27
₡2 211,98
₡2 029,82
₡1 759,17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 560En existencias
₡5 423,25
₡3 513,14
₡3 091,56
₡2 388,94
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le 538En existencias
₡6 802,48
₡4 632,14
₡4 606,12
₡4 585,30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 3 505En existencias
Cinta cortada
₡1 342,80
₡655,79
₡593,33
₡471,54
₡449,68
Envase tipo carrete
₡409,09
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 1.9 Ohms 30 V 3 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1 202En existencias
₡2 623,15
₡1 358,41
₡1 233,50
₡1 020,11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 3 066En existencias
₡1 150,23
₡733,86
₡491,84
₡398,68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 5 018En existencias
Cinta cortada
₡2 045,43
₡1 035,73
₡936,84
₡770,29
Envase tipo carrete
₡723,45
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 1 166En existencias
Cinta cortada
₡3 632,85
₡1 832,04
₡1 545,78
₡1 493,74
Envase tipo carrete
₡1 493,74
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 330 mOhms 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 1 439En existencias
₡2 113,09
₡1 072,16
₡973,27
₡796,31
₡780,70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na 1 691En existencias
₡2 493,03
₡1 321,98
₡1 202,28
₡988,88
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a 1 244En existencias
Cinta cortada
₡2 617,94
₡1 353,21
₡1 233,50
₡1 077,36
Envase tipo carrete
₡962,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 680 mOhms 30 V 5 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 121 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package 845En existencias
Cinta cortada
₡6 630,73
₡3 747,35
₡3 690,10
Envase tipo carrete
₡3 487,12
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 1 443En existencias
₡1 753,97
₡863,97
₡687,01
₡619,35
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2 500En existencias
Cinta cortada
₡1 452,10
₡728,65
₡634,97
₡525,67
Envase tipo carrete
₡437,19
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.95 Ohm typ., 5 A, MDmesh K5 Power MOSFET in 5 586En existencias
Cinta cortada
₡2 019,41
₡1 020,11
₡926,43
₡759,88
Envase tipo carrete
₡713,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.15 Ohms 30 V 5 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 4 908En existencias
Cinta cortada
₡1 238,71
₡791,11
₡650,58
₡562,10
₡541,28
Envase tipo carrete
₡517,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3.6 A 1.2 Ohms 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2 614En existencias
₡3 601,62
₡1 936,13
₡1 769,58
₡1 603,03
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1 718En existencias
₡4 325,07
₡2 342,09
₡2 149,52
₡1 982,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 869En existencias
₡3 528,76
₡1 873,68
₡1 717,54
₡1 566,60
₡1 514,55
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube