M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Resultados: 46
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
639En existencias
₡4 595,71
₡3 044,72
₡2 810,51
₡2 789,69
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Hoja de datos
2 211En existencias
₡14 245,14
₡10 555,04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
3 250En existencias
Cinta cortada
₡14 286,78
₡11 111,94
₡10 601,88
₡10 518,61
Envase tipo carrete
₡10 518,61
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
449En existencias
₡10 882,93
₡7 135,58
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
766En existencias
₡5 667,87
₡3 242,50
₡3 013,49
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 900V
Hoja de datos
1 028En existencias
₡6 037,40
₡4 184,54
₡4 070,04
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V
Hoja de datos
1 858En existencias
Cinta cortada
₡14 536,60
₡11 278,49
₡10 674,75
Envase tipo carrete
₡10 674,75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
1 282En existencias
Cinta cortada
₡12 189,30
₡9 102,94
₡7 869,44
₡7 057,51
Envase tipo carrete
₡7 057,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
438En existencias
₡7 114,76
₡4 351,09
₡4 106,47
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
497En existencias
₡5 277,52
₡3 502,73
₡3 299,75
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
312En existencias
Cinta cortada
₡6 386,11
₡3 596,42
₡3 507,94
₡3 320,57
Envase tipo carrete
₡3 320,57
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1 046En existencias
₡9 961,71
₡7 047,10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
1 589En existencias
₡6 297,63
₡4 361,50
₡4 273,02
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
380En existencias
₡5 693,89
₡3 695,30
₡3 502,73
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS PQFN88 650V
Hoja de datos
5 718En existencias
Cinta cortada
₡6 849,32
₡3 965,95
₡3 939,92
₡3 768,17
₡3 726,53
Envase tipo carrete
₡3 726,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
SMD/SMT TDFN-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM
Hoja de datos
1 003En existencias
Cinta cortada
₡10 071,01
₡6 328,86
₡5 990,56
Envase tipo carrete
₡5 990,56
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
453En existencias
Cinta cortada
₡20 152,42
₡15 223,61
₡15 213,20
₡14 411,69
Envase tipo carrete
₡14 411,69
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MOHM 900V
Hoja de datos
328En existencias
₡19 460,20
₡13 797,54
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
794En existencias
Cinta cortada
₡6 714,00
₡4 387,52
₡4 179,34
₡4 153,31
Envase tipo carrete
₡4 153,31
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
202En existencias
₡14 973,79
₡10 513,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Hoja de datos
450En existencias
₡19 730,84
₡14 036,95
Min.: 1
Mult.: 1
TO-247-4 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
68En existencias
Cinta cortada
₡15 181,98
₡11 512,69
₡11 325,33
₡10 284,40
Envase tipo carrete
₡10 284,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V
Hoja de datos
1 364En existencias
Cinta cortada
₡6 589,09
₡4 028,40
₡3 799,40
Envase tipo carrete
₡3 799,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Hoja de datos
314En existencias
₡6 261,20
₡4 366,70
₡4 278,23
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
418En existencias
Cinta cortada
₡10 060,60
₡6 318,45
₡5 980,15
Envase tipo carrete
₡5 980,15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC